以色列晶片製造商高塔半導體（Tower Semiconductor）於 11 日的財報會議中拋出震撼彈，表示美國晶片大廠英特爾（Intel）已表達意向，將不再履行雙方於 2023 年簽署的晶圓代工協議。這項協議原被視為雙方在 54 億美元併購案告吹後的重要戰略橋樑，但目前雙方已進入調解階段，高塔半導體隨即啟動應變計畫，將產能轉移至日本。而儘管合作生變，高塔半導體的股價與市值卻在過去一年創下歷史新高，展現出脫離英特爾收購陰影後的強勁生命力。
根據高塔半導體最新發布的財報聲明，英特爾已正式傳達其「不打算履行協議」的意向。這項爭議的核心在於雙方於2023年9月簽署的一份製造協議。當時的規劃是，英特爾將在其位於美國新墨西哥州的工廠，為高塔半導體的客戶生產12吋晶圓。
面對英特爾的突然變卦，高塔半導體表示雙方目前正處於調解階段，試圖解決合約糾紛。為了確保客戶權益不受影響，高塔半導體已採取緊急措施，將原定分配給英特爾新墨西哥州工廠的生產流程（production flows），重新導向至高塔位於日本的「Fab 7」工廠。高塔指出，這些製程最初也是在日本廠區進行資格認證的，因此轉移生產應能順利銜接。
而要理解此次爭議的嚴重性，必須回溯至雙方錯綜複雜的歷史關係。這份現已瀕臨破局的協議，簽署於2023年9月，距離英特爾宣佈終止以54億美元收購高塔半導體的計畫僅數週。當時，該協議被視為一種「補償」與「延續」的手段，目的在為兩家公司在併購失敗後建立一座「戰略橋梁」。根據2023年的合約內容，高塔半導體承諾投資3億美元購買設備，安裝於英特爾位於新墨西哥州里奧蘭喬（Rio Rancho）的工廠。做為交換，英特爾將提供每個月超過60萬個光罩層的產能，以支援高塔下一代的300mm晶片製造。
當時，高塔半導體執行長 Russell Ellwanger 對此充滿期待，曾公開形容這項安排是「邁向與英特爾多種獨特協同解決方案的第一步」，特別是在先進電源管理（advanced power management）和射頻絕緣層上覆矽（RF silicon-on-insulator）技術領域。然而，隨著英特爾如今表態退出，當初願景如今顯然已化為泡影。
英特爾與高塔半導體的糾葛始於更早之前的併購案。英特爾原計劃收購高塔半導體，以擴大其晶圓代工業務的版圖。然而，該併購案最終因為無法獲得中國監管機構的批准而宣告失敗。在併購案於2023年宣告終止後，雙方放棄了合併計畫，英特爾並為此支付了高塔半導體3.75億美元的終止費。隨後簽署的這份代工製造協議，本意是為了在併購不成的情況下，依然保持雙方的商業聯繫，並藉此提振英特爾擴展代工業務的雄心。
儘管與英特爾的合作再次受挫，但高塔半導體自身的營運狀況似乎並未受到打擊，反而呈現出驚人的成長態勢。根據11日公布的數據，高塔半導體在2025年第四季的營收達到4.4億美元，較前一年同期成長了14%。投資人也對於高塔的強勁表現給予了高度肯定，在過去一年中，高塔半導體的股價飆漲超過170%。
最引人注目的是，高塔半導體目前的市值已突破150億美元大關。這是一個極具象徵意義的數字。因為這不僅是該公司的歷史新高，更是當初英特爾提出收購價格（54億美元）的將近三倍。這顯示出市場認為高塔半導體在獨立運作下，比起被英特爾收購，創造了更高的價值。
(首圖來源：英特爾)
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