想追上 ASML？中國半導體高層坦言技術仍落後

根據　Tom’s Harware 報導，中國多位半導體產業高層近日公開呼籲，應整合國家資源打造能取代荷蘭光刻設備大廠 ASML 的本土技術體系，並坦言中國晶片設備產業目前仍然「規模小、分散且薄弱」，難以憑自身力量突破美國出口管制的技術限制。

這項呼籲由中芯國際共同創辦人王陽元，與長江存儲、半導體設備廠北方華創、EDA 軟體公司華大九天等產業領袖共同提出。報告指出，美國出口限制已在三個關鍵領域明顯壓縮中國半導體發展空間，包括電子設計自動化（EDA）軟體、矽晶圓，以及晶片製造設備，尤其是支援 7 奈米以下製程的極紫外光（EUV）光刻技術，目前中國仍無法自主生產。

報導指出，中國正在制定 2026 至 2030 年的「第十五個五年計畫」（簡稱為十五五），市場普遍預期光刻技術突破與 EDA 工具自主化將被列為國家重點發展目標。由政府主導、規模約 475 億美元的「國家大基金三期（Big Fund III）」也已將資金重新導向光刻設備與 EDA 技術研發，希望降低對 ASML 與 Synopsys 等海外供應商的依賴。

不過，產業界也坦言中國半導體設備體系仍存在明顯差距。目前中國最先進的國產 DUV 光刻設備技術水準，大致相當於 ASML 在 2008 年推出、用於 32 奈米製程的 Twinscan NXT:1950i。

即使未來能整合至 28 奈米製程，要進一步推進至 10 奈米以下仍需重新設計設備架構並投入多年研發。

此外，雖然中國實驗室據傳已完成 EUV 原型機，但要達到商業化仍面臨良率與量產能力等挑戰。