美國記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）週五宣布，位於維吉尼亞州馬納薩斯（Manassas）的工廠已正式開始製造採 1α 製程的 DDR4 DRAM，此乃「美國本土所生產過的最先進記憶體」。
Tom’s Hardware、Stocktwits等外電報導，美光22日在新聞稿中強調，美光的1α製程是全球最先進的DDR4技術，將使馬納薩斯廠的DDR4晶圓供應量直接翻四倍，進而為全球客戶鞏固一條具備長生命週期（long-lifecycle）的美國本土DDR4與LP4記憶體供應鏈。
美光指出，這波產能擴充將造福高度依賴1α DRAM的車用電子、國防與航太、工業、網路通訊以及醫療設備等領域。「做為美國本土唯一的記憶體製造商，美光擁有無可替代的獨特戰略地位，將全力強化美國境內的記憶體自主產能。」
單是美光一家公司，就計劃未來數年在美國本土砸下2,000億美元，而本次在維吉尼亞州正式啟動的製造項目，總投資額則達20億美元，直接在當地催生了3,100多個頂級製造與社區職缺。
由於舊款記憶體供應意外緊繃，美光決定拉高DDR4產能。全球三大DRAM製造商（三星、SK海力士、美光）先前為了滿足來自雲端巨頭（hyperscalers）與資料中心營運商的需求，決定將晶圓廠產能重新分配至DDR5、LPDDR5X以及高頻寬記憶體（HBM）。 美光甚至已在2025年針對消費級與資料中心主流產品DDR4、LPDDR4發出了停產（end-of-life）通知，對客戶的最後一批貨品預計會在2026年初出貨完畢。
然而，這項集體停產的決定，直接讓擁有超長產品生命週期（long product cycles）的傳統工業陷入巨大斷供風險。 S&P Global Mobility估計，2026年全球車用DRAM的合約價格將比2025年飆升70%至100%，並警告舊世代車用DRAM的供應量將在2028年底前急遽枯竭。據悉，汽車與工業買家手中的DDR4緩衝庫存，已從過去的31週以上，大幅萎縮至6~8週。
美光最初是於2020年底在台灣廠房開始量產1α製程DRAN，與前一代1z製程相比，能提供額外40%的位元密度（bit density）。該技術採用的是深紫外光（DUV）微影曝光技術，而非更為昂貴、且三星在其先進DRAM製程中採用的極紫外光（EUV）設備。 相比之下，美光更新一代的1β與1γ製程，則已全數貢獻給了DDR5、LPDDR5及HBM等前線AI戰場。
將1α製程移回美國本土的維吉尼亞州工廠，等於打造了一條「美國專用」的DDR4與LP4獨立生產線。這條生產線不會與美光那些專注於AI的頂尖產品搶奪晶圓投片量（wafer starts）。
美光22日終場下跌1.46%、收751美元；年初迄今漲幅仍高達163.13%。
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