美國記憶體大廠美光（Micron Technology, Inc.）相信，高頻寬記憶體（HBM）、NAND 快閃記憶體及 DRAM 的缺貨問題，恐一路延續到今年過後。
Wccftech 25日報導，摩根大通（JPMorgan，通稱小摩）發表研究報告指出，美光高層在波士頓舉行的「第54屆小摩全球科技、媒體與通訊年會」（J.P. Morgan Annual Global Technology, Media and Communications Conference，TMC）上指出，由於高效能記憶體晶片能顯著提升AI模型的運算效能，預期整個記憶體市場的供給吃緊狀態將延續到2026年之後。
美光還認為，由於HBM、NAND和DRAM晶片的產能難以在短時間內拉高，因此這種供不應求的局面預計會維持好一段時間。
小摩進一步分析了導致記憶體市場這波緊縮的數個要素。首先，隨著記憶體技術世代演進，其效能提升的幅度開始放緩，且次世代HBM的晶粒尺寸（die sizes）變得更大。此外，極紫外光（EUV）微影技術在最新DRAM的製造過程中，也扮演著舉足輕重的角色。
根據報告，美光高層指出，在AI應用需求的推波助瀾下，其「1-gamma（1-γ）」製程若以總晶圓出貨量來計算（total-wafer out basis），將成為公司史上產量最高的DRAM製程。 用於AI GPU的HBM，主要是依賴DRAM模組進行垂直堆疊，然後封裝整顆晶片。美光表示，會持續將EUV晶片製造微影技術，與1-gamma記憶體生產線深度整合。
產量方面，美光揭露，受惠於AI強勁需求，HBM4的產能爬坡（ramping up）速度，比之前的HBM3快上兩倍。另外，次世代的HBM4E記憶體，則預計2027年正式啟動產能爬坡，其首款樣品將採用1-gamma製程製造的DRAM模組。
最後，美光指出，AI上下文窗口（context windows）擴大、加上推論工作負載增加，讓公司得以擴大固態硬碟（SSD）市場的市占率。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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