全球人工智慧（AI）伺服器需求持續爆發，帶動高頻寬記憶體（HBM）、先進 DDR5 DRAM 與大容量 NAND 快閃記憶體的強勁需求。為穩固在全球供應鏈的地位，並達到技術自主，中國兩大記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC），正展開大規模擴產，雙方合計投資高達 630 億人民幣 (約新台幣 3,000 億元) 採購半導體製造設備。
外媒報導，DRAM領域，長鑫存儲擴產步伐驚人，2025年達每月28萬至29萬片晶圓產能後，今年再增加5萬至6萬片。若現有計畫如期完成，長鑫存儲年底月產能可達約35萬片，直逼國際三大DRAM廠之一的美光（Micron）37.5萬片預估產能。
而為了達成每月80萬片晶圓的長期目標，長鑫存儲編列了350億至430億人民幣的設備採購預算。值得注意的是，長鑫存儲的無塵室建置時間僅需約12個月，遠低於業界平均21~24個月。儘管受限於美國制裁而無法取得先進的EUV曝光機，長鑫存儲仍用舊DUV設備及多重曝光成功克服瓶頸，已開始出貨因應AI需求的高效能DDR5（8000 MT/s）與LPDDR5X模組。
專注高層數NAND快閃記憶體的長江存儲，目前武漢兩座晶圓廠合計月產能約15萬片，第三期擴產計畫已進入設備安裝與測試階段，下半年投入量產。有200億人民幣設備採購預算支持，滿載總月產能可突破17萬片。
這波中國記憶體雙雄帶動的擴產潮，將為中國半導體設備供應鏈創造龐大商機。中國半導體設備本土採購率約23.2%，單長鑫存儲今年採購就能帶入近100億人民幣新業務，加速國產設備導入。
為了緩解中國記憶體短缺，中國政府鼓勵長鑫存儲將DRAM技術智慧財產權（IP）轉移給福建晉華（JHICC）、昇維旭（Swaysure）及長江存儲子公司新芯（XMC）等其他製造商，也為日後進軍歐盟甚至美國等國際市場預作準備。
企業資料中心擴張及硬體加速器需求攀升，不僅中國雙雄，三星、SK海力士與美光等國際大廠亦同步增加資本支出以因應市場變化。國際半導體產業協會預測，全球半導體設備市場規模從2024年1,166億美元，大幅成長至2027年1,556億美元。中國晶片廠在AI浪潮下展現的強勢擴張，無疑將為全球半導體競爭版圖製造新變數。
(首圖來源：長鑫存儲)
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