
半導體講求製程微縮,生產的晶片有更小體積、更好效能之外,也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下,微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能,全球微影曝光設備大廠艾司摩爾(ASML)就在官方 Facebook 公布關鍵公式:萊利公式(Rayleigh Criterion),使半導體微影曝光設備能持續發展。
台積電也得靠它,關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎 |
作者
Atkinson |
發布日期
2019 年 10 月 15 日 15:00 |
分類
國際貿易
, 奈米
, 尖端科技
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半導體講求製程微縮,生產的晶片有更小體積、更好效能之外,也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下,微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能,全球微影曝光設備大廠艾司摩爾(ASML)就在官方 Facebook 公布關鍵公式:萊利公式(Rayleigh Criterion),使半導體微影曝光設備能持續發展。
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