三星電子(Samsung Electronics Co.)2015 年靠著 20 奈米製程技術領先 DRAM 對手,吃下獲利市佔大餅。不過,風水輪流轉,明年美光(Micron)、SK Hynix 有望會扳回一城。
分析師評 2016 年 DRAM 利潤,「美光看俏、三星吃癟」 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2015 年 11 月 17 日 14:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 |
智慧型手機旺季需求帶動,第三季行動式記憶體總產值攀升 18% |
| 作者 TechNews|發布日期 2015 年 11 月 12 日 16:00 | 分類 晶片 , 零組件 | edit |
儘管 DRAM 價格持續下滑,行動式記憶體價格相對其他產品類別較為抗跌,在位元產出不斷增加的情況下,第三季行動式記憶體佔總體 DRAM 營收已達 40%,且持續擴大。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示,第三季行動式記憶體佔總營收達 18% 的季增長,產值擴增量由大至小依序為 SK 海力士、三星以及美光,與 iPhone 6s 新機上市而備貨的 LPDDR4 有高度相關性。 繼續閱讀..
分析師:中國打造資料中心,得靠三星、WD 幫忙 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2015 年 11 月 11 日 17:35 | 分類 Big Data , 中國觀察 , 晶片 | edit |
中資近來在台灣、美國與南韓科技業大張旗鼓尋找購併標的,傳媒直指中國打算在本土打造自家的半導體與記憶體製造中心。不過,這其實並未解讀到中國真正的動機。分析師指稱,中國真正的目的是為了激勵(或更可能是威脅)三星電子(Samsung Electronics)、SK Hynix 等業者直接在當地擴充記憶體產能,而北京則會在同一時間與重要的資訊科技(IT)業者(即 Western Digital)建立合作關係,開始打造、擴建資料中心的基礎建設。
行動式記憶體出貨佔比增加,第三季 DRAM 總產值小幅衰退 1.2% |
| 作者 TechNews|發布日期 2015 年 11 月 09 日 9:45 | 分類 晶片 , 零組件 | edit |
受到市況供過於求影響,DRAM 平均銷售單價持續下降
旺季需求加持,第四季行動式記憶體價格季跌幅收斂 |
| 作者 TechNews|發布日期 2015 年 11 月 04 日 14:10 | 分類 手機 , 晶片 , 零組件 | edit |
時序進入智慧型手機出貨的高峰點,
英特爾大連廠轉型生產 NAND Flash,中國儲存記憶體市場更蓬勃 |
| 作者 TechNews|發布日期 2015 年 10 月 21 日 17:05 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件 | edit |
半導體產業龍頭英特爾 20 日宣布與大連政府配合,將原先以 65 奈米製程生產處理器晶片的中國大連廠,轉型為生產最新的 3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達 55 億美元,預計於明年下半年開始量產。根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新公布數據,2015 年整體中國市場 NAND Flash 總消耗量換算產值高達 66.7 億美元,佔全球產值 29.1%,明年更可望達到全球 NAND Flash 產量的三分之一,成長幅度十分驚人。
