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Imec 證實合金薄膜電阻首度超越銅和釕,推動先進金屬導線技術

作者 |發布日期 2023 年 05 月 24 日 18:00 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

本週舉行的 2023 年 IEEE 國際內連技術會議(IITC),比利時微電子研究中心(imec)展示成果,首次證實導體薄膜電阻於 12 吋矽晶圓可超越業界的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。厚度 7.7 奈米的鎳鋁二元合金經過晶粒工程後,可測得最低電阻為 11.5µWcm,是線寬 10 奈米以下達成低電阻內連技術的里程碑。

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應材晶片佈線技術突破,促使邏輯晶片微縮至 3 奈米以下

作者 |發布日期 2021 年 06 月 17 日 15:10 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

美商應材指出,半導體尺寸的縮小雖有利於提高電晶體效能,導線佈線方面卻正好相反。因為較小的導線會產生更大的電阻,使得效能降低,並增加功耗。若無法在材料工程方面有所突破,從 7 奈米節點縮到 3 奈米節點,導線通路電阻將增加 10 倍,反而失去電晶體微縮的好處。

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