Tag Archives: 快閃記憶體

中國 NAND 快閃記憶體市場佔全球 1/3，政府積極扶植本土業者
作者 |發布日期 2016 年 08 月 29 日 8:40 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區

相對於舊式 HDD 硬碟的式微，NAND 快閃記憶體及 SSD 固態硬碟的發展就成了儲存市場的當紅炸子雞。不論是在行動設備、個人電腦、或是資料中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經成為 NAND 快閃記憶體的最大市場，而 SSD 固態硬碟也是成長最快的市場。因此，也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。

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野村看好美光 維持買進評等並調升目標價至每股 20 美元
作者 |發布日期 2016 年 08 月 26 日 17:06 |
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分類 手機 , 會員專區 , 記憶體

根據野村證券最新的分析報告，分析師 Romit Shah 指出，基於全球記憶體大廠美光 （Micron） 未來可以提供規律化的營業利益率來分析，目前將繼續維持美光投資評等為「買進」的階段，並將其目標價由每股 16 美元，提升到每股 20 美元的價位。

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新事證證實 蘋果 iPhone7 的儲存容量將由 32GB 起跳至 256GB
作者 |發布日期 2016 年 08 月 26 日 9:08 |
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分類 Apple , iPhone , 會員專區

根據美國科技新聞網站 Cult Of Mac 報導，即將在 9 月份新推出的蘋果 iPhone新手機（暫時稱為 iPhone 7），屆時會徹底取消 16GB 和 64GB 兩個快閃記憶體容量版本。而新手機的快閃記憶體容量將會是由 32GB 起跳，對於重度使用儲存的用戶來說，還可以購買最大 256GB 容量的版本。

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2016 年全球快閃記憶體高峰會，中國廠商能見度快速攀升
作者 |發布日期 2016 年 08 月 25 日 14:25 |
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分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

快閃記憶體產業的指標性展會──2016 年全球快閃記憶體高峰會（2016 Flash Memory Summit）甫落幕，TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，大會連續兩年設置中國專場，並由華瀾微電子總裁駱建軍博士擔任論壇主持人，顯示出中國市場已成國際關注焦點，中國快閃記憶體廠商的發言權與能見度正快速攀升。 繼續閱讀..

涉嫌作假帳 記憶體龍頭群聯電子遭檢調搜索
作者 |發布日期 2016 年 08 月 05 日 22:02 |
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分類 手機 , 晶片 , 會員專區

根據最新 《蘋果即時新聞》 的報導，國內記憶體股王群聯電子在 5 日下午收盤後，遭到新竹地檢署指揮上百名調查人員到公司搜索。據了解，此次的搜索為調查局接獲檢舉，指稱群聯電子涉嫌作假帳所致。而對於公司遭到檢調搜索的情況，群聯電子方面目前尚未正式公開說明。

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英特爾暫停中國大連廠擴建計畫 考慮直接入股或收購美光科技
作者 |發布日期 2016 年 07 月 29 日 9:35 |
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分類 Microsoft , 手機 , 晶片

根據日前瑞士信貸所發表的研究報告指出，半導體龍頭英特爾（intel）將可能暫停對投資於中國大連的快閃記憶體生產線進行擴建計畫，從而以更低的成本，直接收購美光科技（Micron），以擴大在快閃記憶體領域的實力。報告中指出，因為智慧型手機配置的快閃記憶體容量越來越大，而且，基於固態硬碟正在逐漸取代舊式的機械碟盤硬碟，這種現象導致市場對於快閃記憶體需求攀升，快閃記憶體行業的整合併購也越來越活躍，使得英特爾下此計畫。

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三星西安廠事故及智慧手機廠衝規格，NAND 價格暴衝 22%
作者 |發布日期 2016 年 07 月 20 日 9:10 |
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分類 Samsung , 手機 , 晶片

日經新聞 20 日報導，因中國、台灣智慧手機廠商紛紛強化產品功能，帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠 6 月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用於智慧手機、記憶卡的 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）交易價格轉趨走揚，指標性產品 6 月份批發價在 1 個月期間內飆漲 22%。 繼續閱讀..

三星擬擴產 3D NAND？外資：2017 年產能將拉高近 4 成
作者 |發布日期 2016 年 06 月 16 日 16:10 |
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分類 Samsung , 晶片 , 零組件

南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..

IBM 發表突破性新技術「PCM」，比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次
作者 |發布日期 2016 年 05 月 20 日 8:31 |
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分類 晶片 , 物聯網 , 零組件

近年因行動裝置和物聯網快速成長，如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技，有望成為新一代的資料處理科技，電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。 繼續閱讀..

協助中國晉華開發記憶體製程，聯電積極規劃搶佔記憶體市場
作者 |發布日期 2016 年 05 月 13 日 18:50 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區

晶圓代工大廠聯電 （UMC）13 日傳出將接受委託，為中國晉華公司開發隨機存取記憶體 （DRAM） 相關製程技術的消息。對此，外界解讀因為先前就已經傳出聯電已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組，並由甫加入聯電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍來執行這樣的工作。因此，對此消息並不覺得意外，認為是聯電為準備介入利基型記憶體市場的發展開始練兵準備。

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聯電搶攻利基型記憶體，準備於泉州市合資設立 12 吋廠
作者 |發布日期 2016 年 04 月 18 日 15:35 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 零組件

隨著中國武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動，準備瞄準 NAND Flash 產業，並在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人，原本預估在武漢新芯自己有大規模產能，恐將威脅其他記憶體代工廠的情況下，其他廠商可能陸續退出市場。不過，卻有廠商反其道而行。晶圓代工大廠聯電就宣布，目前正積極規劃切入利基型記憶體代工的市場，而且現正招聘人手中，並且逐步開始準備小量試產。

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