固態硬碟控制器百花齊放，Maxiotek、VIA 等台廠也爭相投入 |
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T客邦|發布日期
2016 年 08 月 15 日 5:25 |
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近日 Flash Memory Summit 活動於美國舉行，除了 Micron、Samsung 等快閃記憶體廠，端出自家新武器刻畫未來藍圖，控制器廠商的相關動作也不少。例如 Maxiotek 與 VIA 兩家台灣廠商，展出最新世代產品，分別支援 SATA 6Gb/s 與未來主流 PCIe 3.0 NVMe。 繼續閱讀..
英特爾暫停中國大連廠擴建計畫 考慮直接入股或收購美光科技 |
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Atkinson|發布日期
2016 年 07 月 29 日 9:35 |
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根據日前瑞士信貸所發表的研究報告指出，半導體龍頭英特爾（intel）將可能暫停對投資於中國大連的快閃記憶體生產線進行擴建計畫，從而以更低的成本，直接收購美光科技（Micron），以擴大在快閃記憶體領域的實力。報告中指出，因為智慧型手機配置的快閃記憶體容量越來越大，而且，基於固態硬碟正在逐漸取代舊式的機械碟盤硬碟，這種現象導致市場對於快閃記憶體需求攀升，快閃記憶體行業的整合併購也越來越活躍，使得英特爾下此計畫。
東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產送樣 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 07 月 27 日 15:15 |
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南韓三星電子為全球第一家量產 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝（Toshiba）追趕速度驚人，宣布已領先全球同業，研發出堆疊 64 層的 3D Flash 產品，且開始進行送樣。 繼續閱讀..
跟三星拚了，東芝、WD 擴大投資 3D 快閃記憶體 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 07 月 05 日 9:30 |
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全球第二大儲存型快閃記憶體東芝（Toshiba）與美國合作夥伴 Western Digital（WD），擬大幅增加投資快閃記憶體，希望藉擴產力抗南韓共同強敵三星。 繼續閱讀..
三星擬擴產 3D NAND？外資：2017 年產能將拉高近 4 成 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 16 日 16:10 |
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南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..
東芝傳攜 SanDisk 砸 4 千億日圓增 3D Flash 產能 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 01 月 11 日 10:35 |
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南韓三星電子（Samsung）領先全球同業，於 2014 年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）產品，不過三星競爭對手東芝（Toshiba）也拚了，除 3D Flash 專用廠房於 2015 年啟用之外，還傳出將海砸 4,000 億日圓倍增 3D Flash 產能。
瞄準穿戴式市場，東芝推全新藍牙低功耗晶片搭載內建快閃記憶體 |
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TechNews|發布日期
2015 年 11 月 25 日 15:15 |
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東芝半導體與儲存產品公司於 24 日宣布推出兩款全新藍牙晶片 TC35675XBG 和 TC35676FTG/FSG，均支援低功耗（LE）4.1 版通訊。其中，TC35676FTG/FSG 搭載快閃記憶體，而 TC35675XBG 同時支援快閃記憶體和點對點通訊的 NFC Forum Type 3 Tag。樣品即日起可以提供。 繼續閱讀..
英特爾搶攻記憶體，升級中國廠扮先鋒 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 10 月 21 日 9:30 |
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半導體業龍頭英特爾（Intel）丟震撼彈，20 日宣布將砸重金把位在中國大連的廠房改造成最頂尖的記憶體晶片廠，總投資規模最高上看 55 億美元。 繼續閱讀..
