Tag Archives: 晶圓代工

特斯拉 AI6 晶片確定採用三星第二代 2 奈米製程 SF2P，預計 2026 年量產
作者 |發布日期 2025 年 08 月 28 日 14:50 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Samsung

根據韓國媒體報導，韓國三星其晶圓代工業務發展的第二代2奈米（SF2P）製程預計 2026 年開始進行量產。日前，電動車大廠特斯拉（Tesla）與多家韓國人工智慧（AI）半導體 IC 設計公司已確定將於將採用 SF2P 製程，三星也因此將開始啟動全面的良率提升工作。

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美「補助換股」難救急？大摩：英特爾復甦無速效藥，先穩市占才關鍵
作者 |發布日期 2025 年 08 月 26 日 11:07 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片
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美國政府計畫把原提撥給英特爾的 89 億美元補助款轉換成股權，包括尚未撥付的 57 億美元補助，以及美國安全核心國安計畫（Secure Enclave）的 32 億美元獎助金。摩根士丹利（大摩）分析師 Joseph Moore 近日也對此事提出看法，但他認為拯救英特爾沒有快速解方。 繼續閱讀..

美政府入股英特爾 郭明錤：模式不適用於台積／三星
作者 |發布日期 2025 年 08 月 25 日 16:30 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓

中媒報導，天風國際證券分析師郭明錤 25 日發表「美國政府取得英特爾（英特爾）股權之重點分析」報告，美國政府入股英特爾（Intel）最大意義在提供強力背書，強化英特爾大到不能倒信念；但這對英特爾先進製程並無幫助，美國政府入股英特爾無法保證「技術上限」，但能確保「估值下限」，間接幫助英特爾營運。 繼續閱讀..

Exynos 不夠力不是重點！韓媒直指問題是三星被台積電壓著打
作者 |發布日期 2025 年 08 月 25 日 11:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

韓國三星電子智慧手機業務正面臨沉重的成本壓力，主要原因在於核心零件行動應用處理器（AP）價格的急劇上漲。業界分析指出，儘管三星可透過擴大自家「Exynos」晶片搭載比例來降低採購成本，但考量到產品性能與市場性，短期內仍難以取代高通（Qualcomm）晶片。目前，市場更關注的是先進晶圓代工供應鏈的結構性變化，這被視為影響AP採購成本上升的更深層因素。

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軟銀宣布投資 20 億美元，任天堂可能藉此讓英特爾代工 Switch 晶片？
作者 |發布日期 2025 年 08 月 22 日 15:50 |
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分類 GPU , IC 設計 , Nintendo Switch

近期，科技與遊戲業界正流傳一則引人矚目的消息，那就是日本科技大廠軟銀（Softbank）對晶片大廠英特爾（Intel）進行了 20 億美元的投資之後，一份強制性報告中提及了任天堂（Nintendo），這使得關於任天堂未來可能與英特爾合作的傳聞甚囂塵上。這項傳聞不僅牽動著遊戲業界的神經，更可能預示著任天堂未來硬體供應鏈的重大轉變。

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小摩：英特爾應放棄最先進製程，以穩定重振晶圓代工業務
作者 |發布日期 2025 年 08 月 22 日 13:07 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片
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隨著川普政府可能入股英特爾的消息傳出，英特爾的晶圓代工業務再度成為焦點。不過，投資銀行摩根大通（JPMorgan）認為，英特爾重振晶圓代工對台積電的影響風險極低，甚至可能對台積電有利，因為這可避免政府對其市場主導地位進行過度審查。 繼續閱讀..

台積電亞利桑那晶圓廠不只開始賺錢，五年投資還讓沙漠變綠色矽谷
作者 |發布日期 2025 年 08 月 19 日 12:00 |
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分類 ESG , 半導體 , 封裝測試

台積電 2025 年上半年度合併財務報告顯示，其亞利桑那州晶圓廠（TSMC Arizona）在經歷了長達四年、累計近新台幣 400 億元的虧損後，終於在 2025 年上半年連續兩季獲利之後正式轉虧為盈，象徵其在美國的製造布局已成功步上正軌。而且，台積電在當地的設廠也為當地原本一片沙漠的社區，提供了帶積極轉型與變化。

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川普入股英特爾衝擊三星還是台積電？市場憂拖累美國半導體競爭
作者 |發布日期 2025 年 08 月 18 日 16:10 |
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分類 半導體 , 財經 , 金融政策

外媒報導，因為傳出美國川普政府正考慮購入美國半導體大廠英特爾（Intel）的部分股份，以扶持這家目前陷入財務困境半導體大廠的消息，引發業界的高度關注。市場分析師對此警告，這將對韓國三星和台積電等英特爾的競爭對手構成挑戰。

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輝達欲啟動 HBM 邏輯晶片自製加強掌控生態系，業者是否買單有待觀察
作者 |發布日期 2025 年 08 月 18 日 11:10 |
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分類 GPU , IC 設計 , 半導體

市場消息指出，繪圖晶片大廠輝達（NVIDIA）已啟動高頻寬記憶體（HBM）的邏輯晶片(Base Die)自行設計計畫。未來，無論所需的 HBM 要堆疊搭配何種品牌 DRAM 記憶體，其邏輯晶片都將採用輝達的自有設計方案。預計使用 3 奈米節點製程打造，最快將於 2027 年下半年開始試產。

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