Tag Archives: 曝光

半導體製程 EUV 王朝難撼動,Canon 力推奈米壓印都推不倒

作者 |發布日期 2025 年 11 月 04 日 12:30 | 分類 半導體 , 材料、設備

在半導體製造的最前線,曝光微影技術一直是決定晶片性能與製程節點演進的關鍵瓶頸。荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 憑藉深紫外光(DUV)與極紫外光(EUV)兔光機,建立起幾乎無可撼動的市場地位。然而,日本光學大廠佳能(Canon)正嘗試以另一條路徑突圍,那就是奈米壓印 (Nanoimprint Lithography,NIL)。這項被視為「非光學」的新型圖案轉印技術,正被佳能定位為下一代晶片製程的潛在顛覆者。

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不只 EUV 曝光設備,中國半導體自主道路仍很遙遠

作者 |發布日期 2021 年 08 月 18 日 16:15 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片

中國傾全國之力發展自主半導體產業過程,始終無法取得先進曝光設備,一直是中國半導體產業的痛。中國有人大聲疾呼,要國家全力發展先進曝光設備,以打通半導體自主之路的任督二脈,未來發展就能一路順遂。但實際情況真是如此嗎?近期有中國媒體表示,中國半導體自主發展不只缺乏曝光設備,相關設備甚至材料仍依賴國外甚深,路途漫長。

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