不只 EUV 曝光設備,中國半導體自主道路仍很遙遠

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 18 日 16:15 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


中國傾全國之力發展自主半導體產業過程,始終無法取得先進曝光設備,一直是中國半導體產業的痛。中國有人大聲疾呼,要國家全力發展先進曝光設備,以打通半導體自主之路的任督二脈,未來發展就能一路順遂。但實際情況真是如此嗎?近期有中國媒體表示,中國半導體自主發展不只缺乏曝光設備,相關設備甚至材料仍依賴國外甚深,路途漫長。

以半導體曝光設備來說,目前分為 DUV 和 EUV 曝光設備。DUV 一般用於 10 奈米以上製程晶片生產,EUV 用於 7 奈米以下製程晶片生產。目前全球生產 EUV 的廠商也只有荷蘭商艾司摩爾 (ASML) 而已。想生產 7 奈米以下先進製程晶片,就必須有 ASML 的 EUV 協助。目前中國企業無法購買 EUV,中國發展半導體先進製程就很難有希望。

除了曝光設備,半導體製造過程成本有 4 種設備比重最高,分別是曝光、刻蝕、薄膜沉積及過程檢測設備,加總約占所有生產線設備成本 74%。曝光比重約 21%、薄膜沉積類成本 22%、刻蝕 20%、過程檢測 11%。分析 4 類設備,中國國國產化比例為曝光設備低於 1%,過程檢測設備約 2%,刻蝕類約 7%,薄膜沉積類約 8%。

除了晶片製造設備,還有更重要的材料部分,現階段中國也相當依賴國外進口。以中芯國際最新 14 奈米製程來說,部分材料甚至 100% 依賴進口,以 EUV 光阻劑來說,中國就 100% 要從日本進口,完全談不上自主。

報導強調,即便中國廠商能拿到先進製程設備材料,但最後是否成功的關鍵,還是取決於晶片製造技術。並不是有設備、材料就一定順利進入 7 奈米以下先進製程。如果只有設備材料就能跨過門檻,格羅方德、聯電等廠商早就追上台積電,但最後還是放棄,關鍵就在晶片製造技術。

現階段就算取得 EUV,仍解決不了中國半導體先進製程的問題。中國廠商要補的課其實還很多,關乎晶片製造良率高低,還有最後產品成功與否。中國要能半導體製造自主,預計還有很長的旅程。

(首圖來源:中芯國際)