韓國媒體 DealSite 報導表示，三星考慮將提供其 HBM3E 高頻寬記憶體的 1a nm製程通用 DRAM 產能削減 30~40%，然後透過製程轉換，提升適用於標準記憶體產品的 1b nm 製程產能，以達成獲利的最大化。
三星考慮縮減 HBM3E 產能，擴產 1b 奈米製程以最大化獲利 |
作者
Atkinson|發布日期
2025 年 12 月 03 日 9:40 |
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