SK 海力士推出 1c 製程 DARM，可使資料中心節電 30%

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，成功開發全球首款第六代 10 奈米級（1c）製程 16Gb DDR5 DRAM，還展示 10 奈米等級超微細化儲存技術。

SK 海力士強調，10 奈米級 DRAM 世代傳承，微細難度也增加，但以獲業界最高性能認可的第五代（1b）為基礎，提高設計完成度，率先突破極限。今年會完成 1c 製程 DDR5 DRAM 量產準備，2025 年開始供應產品，引領記憶體市場。

SK 海力士以 1b 製程 DRAM 平台擴展開發 1c 製程。SK 海力士技術團隊認為，不僅減少製程高度精細化可能的錯誤，還有將業界最高性能 DRAM 的 1b 製程優勢轉至 1c 製程。

SK 海力士部分 EUV 製程開發新材料，最佳化 EUV 適用製程，確保成本競爭力。1c 製程也革新設計，較前代 1b 生產率提高 30% 以上。

1c 製程 DDR5 DRAM 主要用於高性能資料中心，執行速度為 8Gbps，與前代比速度提高 11%，能效也提高 9%。AI 時代，資料中心耗電量持續增加，如雲端服務商客戶將 SK 海力士 1c DRAM 用於資料中心，電費最高能減少 30%。

(首圖來源：SK 海力士)