隨新手機內建儲存容量躍升，2017 年 NAND Flash 缺貨不易紓解 |
作者
Atkinson|發布日期
2017 年 05 月 22 日 11:20 |
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隨著日前記憶體控制晶片大廠群聯董事長潘健成對媒體表示，目前 NAND Flash 晶片需求相當強勁，加上主要廠商大多表示，未來 3 年產能仍無法滿足市場需求的情況下，預期 2017 年第 3 季 NAND Flash 會比 2017 年第 1 季還缺貨，可能會是史上最缺貨一季。外資也表示，因為未來新款手機內建儲存容量不斷提高，2017 年 NAND Flash 缺貨的情況將不易緩解。
中國先行試產出 40 奈米 ReRAM，進一步卡位記憶體市場 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 01 月 17 日 16:00 |
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近年來，中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求，正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業，正在斥資數百億美元的資金，投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展，期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。只是，在 NAND 記憶體的領域中，中國企業的發展已經晚了二十多年，對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。因此，就將希望放在新一代記憶體技術上。日前，中芯國際（SMIC）日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM （非易失性阻變式存儲器）記憶體，就是一個明顯的例子。
高啟全出手，台灣 DRAM 產業恐現逾百人才出走潮 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 08 月 26 日 10:21 |
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台灣 DRAM 戰將、前華亞科董事長高啟全在去年跳槽中國紫光集團震撼業界，而今赴中國未滿一年，高啟全名字漸漸消失在產業新聞版面，就連先前紫光與武漢新芯合體設立長江存儲，也未聞高啟全消息，不過，根據科技新報取得的資訊，高啟全不只任長江存儲營運長，更謀劃大挖台灣人才，在幾位幹部跳槽過去後，會不會連帶出現台灣 DRAM 人才出走潮同令業界擔憂。 繼續閱讀..
東芝、WD 日本四日市半導體新廠開幕！雷軍意外現身 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 07 月 15 日 13:31 |
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隨著 SSD 逐步取代硬碟，Nand Flash 需求正快速成長，而在製程微縮、物理極限下，3D Nand Flash 的發展也日漸受到重視，三星、SK 海力士、英特爾/美光等大廠，無不重金投入大舉增產，日廠東芝（Toshiba）也沒有缺席，今 15 日東芝偕美國硬碟大廠威騰（Western Digital）為日本三重縣四日市新設的半導體二廠（Fab 2）舉行開幕儀式。
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