半導體大廠英飛凌（Infineon）今日宣布，和 Panasonic 公司已針對共同開發及生產第二代（Gen2）氮化鎵（GaN）技術簽訂合約，基於已獲認可接受的 GaN 技術，Gen2 技術將提供更高效率和功率密度水準。另外，為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650V GaN HEMT；該裝置具備易使用性和更高的性價比，主要應用包括高功率與低功率的 SMPS 應用、再生能源、馬達驅動等。
英飛凌與 Panasonic 合作，加速 650V 氮化鎵技術發展 |
作者
侯 冠州|發布日期
2021 年 09 月 06 日 15:35 |
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