英飛凌與 Panasonic 合作,加速 650V 氮化鎵技術發展

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 06 日 15:35 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


半導體大廠英飛凌(Infineon)今日宣布,和 Panasonic 公司已針對共同開發及生產第二代(Gen2)氮化鎵(GaN)技術簽訂合約,基於已獲認可接受的 GaN 技術,Gen2 技術將提供更高效率和功率密度水準。另外,為了因應市場需求,Gen2 將會開發為 650V GaN HEMT;該裝置具備易使用性和更高的性價比,主要應用包括高功率與低功率的 SMPS 應用、再生能源、馬達驅動等。

對許多設計而言,氮化鎵可提供比矽更多的基礎優勢。與矽 MOSFET 相比,GaN HEMT 具備出色的特定動態導通電阻和較小的電容,因此符合高速切換的要求。能達到省電、系統總成本降低、可在較高頻率下操作、提高功率密度和整體系統效率等效益,使 GaN 成為對設計工程師而言極有吸引力的選項。

也因此,英飛凌攜手 Panasonic,加速 650V GaN 功率裝置的技術發展,全新 650V GaN 第 2 代裝置預計將於 2023 年上半年上市。英飛凌電源與感測系統事業部總裁 Andreas Urschitz 表示,除了具備與第 1 代相同的高可靠性標準外,由於改採 8 吋晶圓製造,客戶將可受惠於更易於控制的電晶體以及大幅改善的成本定位。

Urschitz 進一步指出,如同雙方合作開發的第 1 代裝置,第二代裝置將會以常關型矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)電晶體結構為基礎。在此基礎上結合混合汲極嵌入式閘極注入電晶體(HD-GIT)結構無可比擬的穩固性,讓這些元件成為市場上的首選產品,同時成為長期最可靠的解決方案之一。

(首圖來源:英飛凌)