Tag Archives: dram

三星平澤 P5 工廠第一期購買高達 70 套曝光設備，因應 HBM4 市場需求

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 04 月 07 日 14:30 |

分類公司治理 , 半導體 , 材料、設備

韓國媒體報導，半導體大廠三星已被確認向 ASML 訂購了約 20 套用於 10 奈米以下先進製程的 EUV 曝光機。若連同訂購的 DUV 曝光機計算在內，此次曝光設備總訂購規模達到約 70 套。對此，三星電子表示至今尚未有相關決策。。

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長約不再輕易遭毀？美光回神專家喊上看 600 美元

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 04 月 07 日 9:20 |

分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

隨著 AI 對記憶體需求爆發，分析師看好美國記憶體大廠美光（Micron Technology）、喊股價上看 600 美元，比當前價位高 60% 之多。繼續閱讀..

大吃 AI 紅利三星 Q1 獲利狂飆逾七倍創新高

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 04 月 07 日 9:10 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 記憶體

韓國科技巨擘三星電子（Samsung Electronics）揭曉最新財報，受惠於 AI 基礎設施需求激增，帶動記憶體價格飆漲，上季營業利潤較去年同期狂飆逾七倍，締造史上最強獲利紀錄。繼續閱讀..

中國長鑫存儲上市計畫恐影響三大廠記憶體上行週期

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 04 月 06 日 14:00 |

分類中國觀察 , 半導體 , 記憶體

隨著中國最大的 DRAM 製造商長鑫存儲（CXMT）的規劃上市，預計將威脅到三星、SK 海力士以及美光科技等三大原廠的定價能力。

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蘋果傳高價掃貨 DRAM 鎖供應，壓縮競爭對手空間

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 04 月 03 日 13:30 |

分類 Apple , 半導體 , 記憶體

根據 wccftech 報導，蘋果傳出正以高價大量採購行動 DRAM，甚至不惜犧牲部分利潤，來確保自身供應穩定，同時避免競爭對手取得足夠的記憶體。
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美光認為近期市場雜音影響有限，預期 2027 年 EPS 上看 100 美元

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 04 月 02 日 10:45 |

分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

外資報告表示，記憶體大廠美光（Micron）董事長兼執行長 Sanjay Mehrotra 等高層於日前投資人會議中，揭示了由人工智慧（AI）驅動的可持續性記憶體需求，並看好產業的長期發展與耐久性。儘管市場近期對 DRAM 現貨價格下跌及部分過量出貨傳聞抱持疑慮，但美光認為這些因素影響有限，並樂觀預期到 2027 年每股盈餘（EPS）將上看至少 100 美元。

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TurboQuant 能帶來容量釋放，卻無法拯救記憶體高價地獄

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 04 月 02 日 10:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

Google 近期正式發表了一項名為 TurboQuant 的全新人工智慧資料壓縮技術，承諾能夠大幅減少伺服器在執行 AI 模型推論時所需的記憶體容量。儘管許多人寄望 TurboQuant 能成為拯救記憶體價格暴漲、解決記憶體短缺的救星。但專家與市場分析指出，這項技術雖然能為更廉價的 AI 推論打好基礎，卻無望真正將記憶體從高昂的價格地獄中解救出來。儘管如此，這項底層技術對於模型開發者與推論服務提供商而言，依然具有重大的深遠影響。

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美光、Sandisk 嗨華強北 DDR5 跌價只因溢價過高？

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 04 月 02 日 9:40 |

分類半導體 , 國際貿易 , 記憶體

記憶體大廠美光（Micron Technology）在分析師認為記憶體現貨價格回落應是短暫修正的帶動下，股價連續第 2 日強彈。繼續閱讀..

美光反彈分析師看好投資價值、長約保障營運

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 04 月 01 日 12:30 |

分類記憶體 , 財經

美國記憶體巨頭美光（Micron）繼連日重挫後止跌反彈，分析人士認為，Google 演算法 TurboQuant 引發的拋售潮實屬過度反應，美光正在與大客戶洽談簽署長約，也能保障未來的營運；現在價位正是進場撿便宜的好時機。繼續閱讀..

AI 伺服器需求支撐 2Q26 記憶體合約價格上行，CSP 藉長約鎖定供貨

作者 TechNews|發布日期 2026 年 03 月 31 日 15:18 |

分類 AI 人工智慧 , 伺服器 , 半導體

TrendForce 最新記憶體價格調查，2026 年第二季因 DRAM 原廠積極將產能轉向 HBM、伺服器應用，並採「補漲」策略拉近各類產品價差，儘管終端市場面臨出貨下修風險，整體一般型 DRAM（conventional DRAM）合約價格仍季增 58%~63%。NAND Flash 市場持續由 AI、資料中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，第二季整體合約價格將季增 70%~75%。繼續閱讀..