HBM4 擴產踩煞車!傳 SK 海力士改搶攻 DRAM 市場,南亞科、華邦電早盤續跌

作者 | 發布日期 2026 年 06 月 24 日 9:37 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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HBM4 擴產踩煞車!傳 SK 海力士改搶攻 DRAM 市場,南亞科、華邦電早盤續跌

市場消息傳出,SK 海力士擬將更多重心放在搶攻標準型 DRAM 市場,同時放緩在高頻寬記憶體 HBM4 量產擴張的步調。SK 海力士認為,相較持續投入激烈的產能擴張競賽,將資源重新配置至供給嚴重吃緊的標準型 DRAM 市場,更有助於創造額外營收。

韓媒 Chosun Biz 根據業界 23 日消息指出,SK 海力士正小幅延後部分原定由第五代 HBMHBM3E)轉換至 HBM4 的產線升級計畫。公司策略是在目前營業利益率甚至高於 HBM 的標準型 DRAM 市場,提高供應彈性並爭取更多收益。

消息出來後,昨日台灣記憶體類股全遭重挫,今(24 日)早盤南亞科下跌 2.20%、暫報 444.5 元;華邦電下跌 3.31%、暫報 204.5 元;威剛下跌 1.58%、暫報 405.5 元;反倒力積電今日上漲 3.82%、暫報 81.6 元。

業界猜測,此舉反映出 SK 海力士判斷,在已穩固掌握 HBM 市場領導地位的情況下,沒有必要急於推進 HBM4 及第七代 HBM4E 的量產轉換。

報導認為,SK 海力士之所以調整這項策略,理由是標準型 DRAM HBM 的獲利能力出現逆轉。截至今年第一季,雖然標準型 DRAM GbGigabit)售價仍低於 HBM,但兩者之間的營業利益率差距已擴大至超過 15 個百分點。

大信證券(Daishin Securities)預期,標準型 DRAM 營益率有望在今年內攀升至理論最高水準的 90%

高盛認為,SK 海力士只需在至少至 2026 年期間維持 HBM3 HBM3E 超過 50% 的市場主導地位即可;摩根士丹利則指出,SK 海力士企業價值的關鍵並非守住 HBM 市占率,而是整體記憶體市場的價格循環。基於其預估 2026 DRAM 平均銷售價格將上漲 62%,大摩將該公司獲利預測上調 56% 63%

事實上,SK 海力士在今年第一季財報說明會中已表示,DRAM 平均銷售價格已上漲約 60% 70%,並提出將重點滿足高容量伺服器模組與行動裝置產品需求的策略。此外,公司與微軟簽訂為期三年的 DDR5 供貨合約,也被市場解讀為強化標準型 DRAM 長期獲利能見度的布局。

(首圖來源:科技新報)

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