Tag Archives: HfO2

實現下世代「記憶體內運算」的關鍵？鐵電記憶體商用還有多遠？
作者 |發布日期 2022 年 03 月 04 日 9:00 |
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分類 尖端科技 , 晶圓 , 晶片

現今半導體產業持續朝向更小的製程節點邁進，包括 DRAM 與 NAND Flash 已開始面臨到元件微縮的嚴苛技術挑戰。基於 HfO2 材料之鐵電記憶體不僅有更大的尺寸縮微空間，也可實現 3D 結構整合，甚至具備多位元儲存的可行性。然而，其又面臨著什麼樣的技術挑戰和未來前景呢？（本文出自國立清華大學工程與系統科學系巫勇賢教授，於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「鐵電記憶體的原理、挑戰與展望」文稿，經科技新報修編為上下兩篇，此篇為下篇。） 繼續閱讀..

南韓科學家發現全新儲存技術，可讓記憶體容量增加 1,000 倍
作者 |發布日期 2020 年 08 月 20 日 17:04 |
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分類 儲存設備 , 尖端科技 , 會員專區

如何提升記憶體的儲存容量，是記憶體產業永不變的目標，如今，這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導，南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象，有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍；目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體（FRAM）。
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