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南韓科學家發現全新儲存技術,可讓記憶體容量增加 1,000 倍

作者 |發布日期 2020 年 08 月 20 日 17:04 | 分類 儲存設備 , 尖端科技 , 材料

如何提升記憶體的儲存容量,是記憶體產業永不變的目標,如今,這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導,南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象,有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍;目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。
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