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實現下世代「記憶體內運算」的關鍵?鐵電記憶體商用還有多遠?

作者 |發布日期 2022 年 03 月 04 日 9:00 | 分類 尖端科技 , 晶圓 , 晶片

現今半導體產業持續朝向更小的製程節點邁進,包括 DRAM 與 NAND Flash 已開始面臨到元件微縮的嚴苛技術挑戰。基於 HfO2 材料之鐵電記憶體不僅有更大的尺寸縮微空間,也可實現 3D 結構整合,甚至具備多位元儲存的可行性。然而,其又面臨著什麼樣的技術挑戰和未來前景呢?(本文出自國立清華大學工程與系統科學系巫勇賢教授,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「鐵電記憶體的原理、挑戰與展望」文稿,經科技新報修編為下兩篇,此篇為下篇。) 繼續閱讀..

南韓科學家發現全新儲存技術,可讓記憶體容量增加 1,000 倍

作者 |發布日期 2020 年 08 月 20 日 17:04 | 分類 儲存設備 , 尖端科技 , 材料

如何提升記憶體的儲存容量,是記憶體產業永不變的目標,如今,這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導,南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象,有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍;目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。
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