Tag Archives: NAND

6 月 DRAM 合約價持平,第三季漲價幾乎已成定局

作者 |發布日期 2016 年 07 月 05 日 14:30 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報價顯示,DDR3 4GB 合約均價從 2014 年 10 月的 32.75 美元下跌至今年 6 月的 12.5 美元,跌幅高達 62%。DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,經過近兩年的續跌,6 月合約價已呈現持平,普遍用 12.5 美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊,一線 PC-OEM 客戶於 6 月提前與 DRAM 廠洽談第三季合約價格,DRAMeXchange 預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立,漲幅約 4~8%。 繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20160623

作者 |發布日期 2016 年 06 月 23 日 9:31 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

 40 億人民幣打造自主半導體產業鏈 北京建中關村 IC 設計園
近幾年,大陸依靠自我建設與對外收購打造自主半導體產業鏈。日前傳出,北京市將砸下 40 億元人民幣(下同),在海淀區建設中關村集成(積體)電路產業園,以完善自上游設計、中游製造… 繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20160622

作者 |發布日期 2016 年 06 月 22 日 9:34 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

西安變電站「炸傷」三星工廠 或波及快閃記憶體晶元市場
6 月 18 日,西安長安區變電站起火爆炸,三星位於西安的半導體工廠成為「最受傷」的公司。據韓國《朝鮮日報》報導,西安變電站爆炸引起的停電,讓位於西安的三星半導體工廠流水線意外停產… 繼續閱讀..