晶圓代工大世界先進今日宣布，領先 8 吋 0.35 微米 650 V 新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。 繼續閱讀..
世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程，正式量產 |
作者
林 妤柔|發布日期
2022 年 11 月 22 日 19:34 |
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