世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程,正式量產 作者 林 妤柔 | 發布日期 2022 年 11 月 22 日 19:34 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區 | edit Loading... Now Translating... 晶圓代工大世界先進今日宣布,領先 8 吋 0.35 微米 650 V 新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: QST TM , 世界先進 , 快充 , 氮化鎵 , 矽晶圓