世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程，正式量產

晶圓代工大世界先進今日宣布，領先 8 吋 0.35 微米 650 V 新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

2018 年，世界先進公司以 Qromis 基板技術（QST TM）開發 8 吋 QST 基板 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程，今年第一季開發完成，第四季成功量產，同時和海內外整合元件製造（IDM）廠及 IC 設計公司合作。

QST 基板相較以矽（Si）為基板，具與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），製程堆疊氮化鎵時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利量產。世界先進 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程能與既有 8 吋矽晶圓機台設備開發與生產能配合使用，以達最佳生產效率及良率。

世界先進透露，客戶端系統驗證結果，世界先進氮化鎵晶圓於快充市場應用，針對 65W 以上快充產品，系統效率達世界領先水準。基於 QST 基板的良好散熱特性，整體快充方案效能，世界先進的氮化鎵晶圓有更優良的散熱表現。

營運長尉濟時表示，世界先進身為特殊積體電路製造服務的領導廠商，不僅提供客戶更優秀的積體電路設計，亦協助提升客戶產品的競爭力。

世界先進 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程除了 650 V 元件，也提供內建靜電保護元件（ESD）；製程除具備更優異的可靠性與信賴性外，針對更高電壓（超過 1,000 V）的擴充性，也與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。

（首圖來源：世界先進）