世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程,正式量產

作者 | 發布日期 2022 年 11 月 22 日 19:34 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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世界先進 0.35 微米 650 V 氮化鎵製程,正式量產

晶圓代工大世界先進今日宣布,領先 8 吋 0.35 微米 650 V 新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

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