Tag Archives: SK海力士

SK 海力士推出 PEB110 資料中心 SSD,2025 年第二季供貨

作者 |發布日期 2024 年 09 月 11 日 12:15 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布,成功開發適用於資料中心的高性能固態硬碟 PEB110 E1.S(PEB110)。SK 海力士表示,PEB110 採用第五代 PCIe,頻寬比現有第四代 (Gen4) 高一倍,數據傳輸速度達到 32 GT/s,另外在能耗效能上也提升 30% 以上。

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結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術,台積電準備 HBM4 基礎晶片生產

作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求,預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化,其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準,將從原本就已經很寬的 1024 位元,進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元,這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣,晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法,來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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HBM 市場升溫,中國長鑫存儲正購買設備計劃投入生產

作者 |發布日期 2024 年 02 月 05 日 7:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

近年來,高頻寬記憶體的市場需求急劇上升,尤其是隨著人工智慧(AI)熱潮的到來,讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大供應商,目前都在開發新產品,特別是 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注,其中 SK 海力士已宣布經在 2026 年開始生產 HBM4 產品,搶攻未來市場的主導地位。

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三星、SK 海力士獲美國無限期豁免!記憶體產能 2026 年恐大幅下滑

作者 |發布日期 2023 年 10 月 11 日 10:18 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

南韓總統辦公室 9 日宣布,美國已根據美國出口管制法規,將三星電子和 SK 海力士在中國記憶體廠指定為「經過驗證的最終用戶」(validated end users,簡稱 VEU),因此能在其中國廠安裝美國製的半導體設備,無需經過美國批准。 繼續閱讀..

記憶體銷售拖油瓶,市場預計三星第三季獲利將下滑近 80%

作者 |發布日期 2023 年 10 月 11 日 8:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

根據路透社報導,受到全球經濟不景與市場需求疲弱,導致半導體供應過剩的持續影響,三星在 2023 年第三季的獲利預計將較 2022 年同期下降 80%。而三星這家目前為全球最大記憶體、智慧型手機以及電視面板供應商,預計將在本週公布 2023 年第三季獲利結果。

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記憶體市況不佳,加速鎧俠與威騰合併談判

作者 |發布日期 2023 年 05 月 16 日 8:00 | 分類 公司治理 , 半導體 , 國際貿易

路透社引用消息人士的說法指出,日本記憶體廠鎧俠(Kioxia Holdings Corp)和美國記憶體廠威騰電子(Western Digital Corp) 正在加快合併談判,並敲定交易結構。而促成這樣結果的原因,在於低迷且疲弱的記憶體市場狀況,加大了這兩家記憶體廠商的合併壓力。

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美系外資看好三大優勢,近期唯一力挺南亞科買進投資評等

作者 |發布日期 2023 年 03 月 08 日 10:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

美系外資發表最新研究報告表示,因為國內記憶體大廠南亞科持有較大規模現金,加上 DRAM 市場預期在下半年逐步開始復甦,以及沒有在中國設晶圓廠,相較南韓三星與 SK 海力士可以避免地緣政治干擾的情況下,南亞科具有其相關優勢。因此該外資給予南亞科「買進」投資評等,並把目標價訂在每股新台幣 75元 ,南亞科成為外資近期難得看好的記憶體股。

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長江存儲遭列清單,市場質疑三星藉此漲 NAND Flash 合約價?

作者 |發布日期 2022 年 12 月 21 日 14:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 中國觀察

外媒報導,在中國記憶體廠長江存儲被美國商務部列入限制出口的實體清單之後,三星在 12 月上旬就將其 3D NAND Flash 快閃記憶體合約價格提高了 10% 。這原因是因為一些 PC OEM 廠商停止與長江存儲的合作,轉向其他記憶體製造商購買 3D NAND Flash,使得市場需求增加,也使得三星進一步提高報價。對此,有市場人士質疑,2022 年第四季 3D NAND Flash 合約價已下跌 20%,加上市場庫存仍高,調漲價格的情況根本不可能。

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出貨小幅上揚及 DRAM 報價持續走升,第三季整體 DRAM 產值季成長達 10%

作者 |發布日期 2021 年 11 月 16 日 14:00 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 調查顯示,今年初以來因 DRAM 報價翻漲以及供應鏈缺料,多數採購為避免斷貨而不斷擴大拉貨,使得需求端至年中持續強勁。然而,因疫情導致的零組件長短料的問題對於終端產品組裝的衝擊也逐漸加 劇,促使部分廠商開始減少購買屬相對長料的記憶體,尤其以 PC OEMs 業者的態度最為明顯。不過所幸伺服器端的需求仍相對有所支撐,帶動多數 DRAM 供應商第三季出貨仍有小幅增長,加上 DRAM 報價走揚,推升第三季 DRAM 總產值仍有 10.2% 的季成長,達 266 億美元。

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