Tag Archives: SK海力士

SK 海力士第 2 季獲利年成長翻兩倍,可望帶動記憶體類股成長

作者 |發布日期 2020 年 07 月 23 日 17:15 | 分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體

南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 於 23 日公布 2020 年第 2 季合併營收,金額為 8.607 兆韓圜,營業利益為 1.947 兆韓圜,淨利則是來到 1.264 兆韓圜。就財報分析,儘管武漢肺炎疫情的衝擊,並增加了大環境的不確定性,但 SK 海力士在第 2 季營收和淨利,卻仍較 2020 年第 1 季分別成長了 20% 和 143%,也較 2019 年同期分別成長了 33% 和 205%。市場人士認為,這是對伺服器記憶體的需求激增,使得記憶體維持住的市場價格。另外,還有其他的許多原因,諸如生產成本的降低等,使得 SK 海力士能在第 2 季繳出好成績。

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台灣第 5 年蟬聯全球晶圓最大產地,中國方面則成長快速

作者 |發布日期 2020 年 06 月 30 日 11:50 | 分類 Samsung , 中國觀察 , 國際貿易

根據市場研究機構《IC Insights》的調查報告顯示,截至 2019 年 12 月底,全球已裝機的晶圓產能(installed capacity)統計,台灣總計達到 420.8 萬片 8 吋約當晶圓,較 2018 年成長約 2%,為全球晶圓產能市占率的 21.6%,排名全球首位。而這是台灣在 2015 年超越南韓,成為全球最大晶圓產能地區之後,連續第 5 年拿下全球最大晶圓產能地區寶座。

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英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND,還將推新 Optane

作者 |發布日期 2020 年 05 月 11 日 10:15 | 分類 記憶體 , 零組件 , 電腦

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃記憶體的發展也隨其他廠商的腳步,開始有新進度。根據外媒報導,英特爾快閃記憶體部門最近公布發展藍圖,其他 NAND 快閃記憶體供應商都開始向 1xx 層堆疊發展當下,身為主要 NAND 製造商之一的英特爾也預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊產品。

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南亞科增加年度資本支出 65.6 億元,用以建置 10 奈米級製程試產線

作者 |發布日期 2020 年 05 月 06 日 19:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

根據記憶體大廠南亞科的最新重大訊息公告指出,南亞科董事會於 6 日決議,將追加新台幣 65.6 億元的資本支出預算,用以打造 10 奈米級製程產線。先前南亞科的董事會決議,在年度資本支出的部分,南亞科 2020 年度資本支出預算以不超過新台幣 92 億元為上限,其中包含 10 奈米級製程研發、試產及 20 奈米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算,預計 2020 年度的資本支出預算交以不超過 157.6 億元為上限。

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期望拉大與競爭對手差距,三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash

作者 |發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

就在日前,中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後,目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體,預計其對疊層數可高達 160 層,期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。

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長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體

作者 |發布日期 2020 年 04 月 13 日 11:40 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 財經

中國記憶體廠長江存儲於 13 日宣布,將推出兩款 128 層 3D NAND 產品,分別為容量為 1.33Tb 的 128 層 QLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,以及容量為 512Gb 的 128 層 TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。其中,128 層 QLC 產品號稱為目前業界所發表的首款單顆 Die 容量達 1.33Tb 的 NAND Flash 快閃記憶體,其包括容量、性能都要優於主要競爭對手,並且兩款產品均已獲得主流控制器廠商驗證。

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SK 海力士宣布年底前量產並供貨 DDR5

作者 |發布日期 2020 年 04 月 06 日 17:40 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件

南韓記憶體大廠 SK 海力士在 2020 年的 CES 上曾經展出過 64GB 的 DDR5-4800 記憶體,其頻寬和容量都要比現在的 DDR4 高出不少,因此備受業界的期待。如今,SK 海力士正式宣布,將在年底前量產並提供業界頻率達到 8400MHz 的 DDR5 記憶體,單顆最大密度 64Gb,並且會帶有 ECC 錯誤修正的功能,工作電壓僅 1.1V。

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SK 海力士持續依賴中國市場,武漢肺炎疫情將造成影響

作者 |發布日期 2020 年 03 月 05 日 17:45 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體

根據南韓媒體《BusinessKorea》的報導指出,由於近來美中貿易大戰的影響,南韓記憶體大廠 SK 海力士對於中國的依賴程度持續攀升。根據統計,2019 年 SK 海力士在中國市場的銷售金額就比之前高出了 7.6 個百分點。這樣的情況,在目前中國受到武漢肺炎疫情肆虐的衝擊下,市場開始關注這將對 SK 海力士造成什麼樣的影響。

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SK 海力士宣布將採用 DBI Ultra 連結技術,拓展微縮與異質整合發展

作者 |發布日期 2020 年 02 月 13 日 12:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器

南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK-hynix) 宣布,已經與 Xperi Corp 旗下的子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術授權協議,未來將可以使用 Invensas 的 DBI Ultra 2.5D/3D 連結技術,使得目前在半導體發展上的兩大發展領域-微縮 (miniature) 及異質整合 (Heterogeneous integration) 能獲得更進一步發展。

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NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發

作者 |發布日期 2020 年 01 月 17 日 15:45 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

日前,中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能 10 萬片的規模,並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今,長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標,就是將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作,不過,暫時沒有具體的目標時間表。

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SK 海力士 4D NAND Flash SSD 2020 年即將出貨,將創業界最高容量

作者 |發布日期 2019 年 12 月 31 日 11:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

為迎接因 5G 手機的帶動之下,接下來記憶體產業的復甦,滿足市場上的需求,南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 準備發售兩款新的固態硬碟 (SSD),型號分別為 Gold P31 及 Platinum P31,預計都採用 PCIe 形態,而且都將支援 NVMe。更重要的是,這兩款 SSD 都將採用 SK 海力士之前宣布量產的最新的 128 層堆疊 4D TLC NAND Flash,單顆晶片容量最高可達到 1Tb,整合超過 3,600 億個儲存單元。

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