新標準型 EUV 部分採 High-NA EUV 技術,提高曝光效率逾 20% 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 03 月 27 日 16:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 荷蘭媒體 Bits & Chips 報導,曝光機大廠 ASML 確認,新標準型 0.33 NA EUV 曝光機 NXE:3800E 導入部分 High-NA EUV 技術,工作效率提升。 繼續閱讀..
ASML 第三代標準 EUV 曝光機問世,每套價格約 1.8 億美元 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 03 月 18 日 18:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 外媒報導,曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨第三代標準型極紫外(EUV)曝光機,新設備型號為 Twinscan NXE:3800E,0.33 數值孔徑透鏡,較舊型號 Twinscan NXE:3600D 的標準型曝光機,性能提高,支援幾年內 3 奈米及 2 奈米晶片製造。 繼續閱讀..