新標準型 EUV 部分採 High-NA EUV 技術，提高曝光效率逾 20%

荷蘭媒體 Bits & Chips 報導，曝光機大廠 ASML 確認，新標準型 0.33 NA EUV 曝光機 NXE:3800E 導入部分 High-NA EUV 技術，工作效率提升。

ASML 表示，新標準型 EUV 曝光機 NXE:3800E 已出貨，執行效率可達每小時 195 片晶圓，較舊機型 160 片提高近 22%。

下代 High-NA 高數值孔徑 EUV 採用更寬光錐，在 EUV 反射鏡撞擊角度更寬，晶圓曝光時導致光損失，故 ASML 提高光學系統放大倍率，將光線入射角調回合適大小。

不過光罩尺寸不變，增加光學系統放大倍率，會因曝光場減少影響晶圓量。ASML 僅一個方向將放大倍數從四倍提升至八倍，使曝光場僅縮小一半。

為了降低曝光時間，提升工作效率，有必要提升曝光機載台運動速率。ASML 工程師開發同時相容 0.33NA 數值孔徑系統的新款快速載台運動系統，對 NXE:3800E 而言，光學元件相同之前的 3600D 機型，僅是配備了更高效的 EUV 光源，工作量提升來自每次曝光間晶圓移動加速。與 NXE:3600D 相比，NXE:3800E 載台移動速度提升兩倍，曝光步驟總時間也約減少一半。

運行速度更快，也使能效提升，ASML 發言人表示，NXE:3800E 整體節省約 20%~25% 能源。

(首圖來源：ASML)