如何提升記憶體的儲存容量，是記憶體產業永不變的目標，如今，這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導，南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象，有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍；目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體（FRAM）。
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南韓科學家發現全新儲存技術，可讓記憶體容量增加 1,000 倍 |
作者
侯 冠州|發布日期
2020 年 08 月 20 日 17:04 |
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