行動裝置記憶體需求增,東芝傳砸 400 億增產 NAND Flash

作者 | 發布日期 2014 年 02 月 14 日 8:05 | 分類 晶片
toshiba nand fab

Thomson Reuters 13 日報導,為了因應智慧型手機/平板電腦用記憶體需求強勁,全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體 (Flash Memory) 廠商東芝 (Toshiba) 計畫對旗下 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第5廠房「Fab 5」進行細微化投資、擴增產能。據報導,東芝將投下 400 億日圓更換「Fab 5」現有設備,藉此擴增「Fab 5」產能。據產經新聞指出,上述細微化設備預計將在今年夏天前導入生產。



 

Thomson Reuters 並指出,關於「Fab 5」的擴建工程(第2期工程)部分,廠房建築預計將在今夏完工,惟東芝將依據明年度(2014 年 4 月起的會計年度)以後的記憶體需求來決定生產設備的導入時間及規模。

東芝於去年 8 月 23 日舉行了動工儀式,正式著手興建 NAND Flash 新廠。該座 NAND Flash 新廠為東芝位於三重縣四日市第三座 12 吋 NAND Flash 廠「Fab 5」的擴建工程,預計將在 2014 年度內(2015年3月底前)開始量產採用最先端細微化技術的高性能 NAND Flash 產品、且之後並計劃於 2015 年度生產採用 3D 結構的 NAND Flash。

據日經指出,該座 NAND Flash 新廠房會將製程技術自目前的 19 奈米提升至 16-17 奈米,且導入量產後,東芝 12 吋晶圓月產能將可較目前的 45 萬片提升約 20%。 

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