SK 海力士發表業界最快 4 倍速行動 DRAM 晶片

作者 | 發布日期 2014 年 09 月 03 日 16:24 | 分類 市場動態 , 晶片
SK_Hynix_Logo

南韓第二大記憶體廠 SK 海力士(SK Hynix)今(3)日發表業界最快行動式 DRAM 晶片,號稱傳輸速度為市面低功耗 DDR4(LPDDR4)的四倍快,預計明年即可進入量產。



南韓聯合通訊社(Yonhap)報導,海力士新 DRAM 晶片容量達 8GB,採 20 奈米技術打造,資料處理速度來到 51.2 GB/s,遠遠高於 LPDDR4 的 12.8 GB/s。
海力士指出,LPDDR4 擁有 32 個 I/O(輸出/輸入)通道,傳輸速率達 3200 Mbps,至於新 DRAM 晶片則擁有 512 個 I/O 通道,雖然每個通道傳輸速度減為 800 Mbps,但整體速度仍提升四倍。

海力士表示,晶片樣本已送至系統單晶片(System-on-Chip)製造商做測試,預計量產時間為 2015 下半年。

(MoneyDJ新聞 記者 陳瑞哲 報導) 

發表迴響