SK 海力士發表業界最快 4 倍速行動 DRAM 晶片

南韓第二大記憶體廠 SK 海力士（SK Hynix）今（3）日發表業界最快行動式 DRAM 晶片，號稱傳輸速度為市面低功耗 DDR4（LPDDR4）的四倍快，預計明年即可進入量產。

南韓聯合通訊社（Yonhap）報導，海力士新 DRAM 晶片容量達 8GB，採 20 奈米技術打造，資料處理速度來到 51.2 GB/s，遠遠高於 LPDDR4 的 12.8 GB/s。
海力士指出，LPDDR4 擁有 32 個 I/O（輸出/輸入）通道，傳輸速率達 3200 Mbps，至於新 DRAM 晶片則擁有 512 個 I/O 通道，雖然每個通道傳輸速度減為 800 Mbps，但整體速度仍提升四倍。

海力士表示，晶片樣本已送至系統單晶片（System-on-Chip）製造商做測試，預計量產時間為 2015 下半年。

（MoneyDJ新聞 記者 陳瑞哲 報導）