不是台積電的錯?外媒:驍龍 810 過熱,高通是禍首

作者 | 發布日期 2015 年 04 月 28 日 13:00 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

高通(Qualcomm)驍龍(Snapdragon)810 處理器頻傳過熱,外界先前認為是台積電製程有問題,不過如今媒體批評風向轉向高通,稱可能該公司急就章才導致晶片出包。



phoneArena 27 日報導,部分人士之前怪罪台積電的 20 奈米製程問題,使得 Snapdragon 810 容易過熱。不過台積電從 28 奈米改成 20 奈米,三星也從 20 奈米改成 14 奈米,兩者都使得晶片密度提高,三星晶片卻沒出問題,顯示或許不是製程微縮惹禍。

另外,高通客製的 Kyro 核心開發過慢,趕不上用於 Snapdragon 810,只能先採權宜之計使用 ARM 核心,或許因此引發過熱。不僅如此,外傳 Snapdragon 810 的 Adreno GPU 由高通自行設計,和 ARM 核心不夠相容,也使得晶片一遇壓力,就容易過熱。

phoneArena 稱,高通是否擺脫了 Snapdragon 810 過熱爭端,或許可從 29 日的 LG G4 發布會見端倪,要是 G4 一如真的降級改用 Snapdragon 808,可能會讓高通再次受創。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Maurizio Pesce CC BY 2.0) 

發表迴響