IC 設計產業
印度電信商力推 4G 手機，聯發科 LTE 晶片組出貨上看 400 萬套
聯發科看好印度支援 4G LTE 行動上網科技的智慧型手機需求，在當地電信業者 Reliance Jio、Infocomm、Bharti Airtel 大舉推出 4G 行動通訊服務的帶動下，預期印度的相關產業將大幅成長。印度經濟時報（Economic Times）16 日報導，聯發科預期 2015、2016 年在印度出貨的 4,000 萬套晶片組當中，有 10% 是屬於 LTE 晶片組。
IHS Technology 中國研究總監王陽稱，小米自己的「芯」最快年底可望問世，將來紅米都將有自己的晶片組。先前就曾有消息稱，小米馬上將會推出自己的處理器，但短期內主要是針對低階型號的手機，並且仍是與聯芯合作，事實上，近期傳出因為高通驍龍 810 的過熱問題，導致小米 5 必須延後推出，在在顯示出小米若要繼續壯大，掌握最關鍵的處理器晶片已是當務之急。
蘋果擴張自製晶片版圖，下一步劍指觸控晶片、Wi-Fi 晶片
根據 Digitimes 報導指出，業界傳出蘋果下世代觸控面板有意採用最新的 TDDI 技術（Touch with Display Driver），蘋果內部正在研發，能夠整合原有觸控 IC、LCD 驅動 IC，以及指紋辨識 IC 的單晶片解決方案，希望未來 iPhone 面板將是超薄、超窄邊框，以及全平面的設計。同時，業界也流傳蘋果有意自行研發 Wi-Fi 晶片，加上先前蘋果數件指紋辨識晶片、感測器廠商的收購案，都透露蘋果在自製晶片的發展上，恐怕不僅止於發展手機晶片的企圖，市場上早有傳言蘋果亟思自行研發電腦的 CPU 以取代英特爾，事實上由於英特爾的製程延宕已造成蘋果 Mac 多次延後上市，最新的 12 吋 Mac 因 Broadwell 平台處理器延期就是一例。
封裝測試產業
矽品：景氣 8 月回升，手機 Q3 好轉
矽品董事長林文伯 16 日表示，半導體庫存調整逐步告一段落，景氣可望於 6、7 月探底，第三季逐月回升；外界疑慮最深的手機市場，因季節性需求浮現，而且蘋果 iPhone 6 需求已趨緩，下半年非蘋果陣營將積極推新產品，可望在第三季恢復成長。半導體今年第 1 季淡季不淡，第 2 季旺季不旺，原因是去年第一季晶圓代工產能相當缺，廠商擔心今年第 1 季也會無法取得晶圓廠產能，因此積極備貨，但實際銷售不如預期，是第 2 季產業進行庫存調整的主要關鍵。
林文伯昨天也提出矽品中科新廠的規畫，將鎖定覆晶封裝、晶圓尺寸封裝和系統級封裝等高階先進封裝，提供後段從植晶到最後封裝等封測垂直一貫生產線，也備妥 16 奈米及 10 奈米製程晶片的扇出型封裝（Fan out）重要技術，切入手機應用處理器等產品，合作廠商涵蓋全球前 20 大 IC 設計公司，訂明年第 2、3 季小量生產。
IDM 廠商
韓媒 BusinessKorea 17 日報導，Nvidia 委託三星代工生產的 GPU 數量，可能會減少。三星內部人士稱，Nvidia 設定 14 奈米 GPU 生產的良率標準，作為下單三星的條件，目前雙方商談缺乏進展。先前外媒也稱，Nvidia 的次代 GPU 將減少下單給三星，重回台積電懷抱。與此同時，三星自行研發的 GPU 繪圖晶片似乎也受挫。GSMArena 4 日報導，三星和 ARM 簽訂長期授權合約，將繼續使用 ARM 旗下的 Mali GPU。
oregonlive.com 報導，根據英特爾（Intel Corp.）執行長 Brian Krzanich 16 日發給員工的信件，英特爾每座生產基地將會裁員數百人，但預估今年一整年整體員工人數將呈現持平。英特爾原本預期今年營收將較去年的創紀錄數據再成長逾 5%，第 1 季不如預期的個人電腦（PC）銷售迫使英特爾下修營收展望至持平。截至 2014 年底為止，英特爾員工總數為 106,700 人。
影像感測技術再突破，量宏科技量子薄膜來勢洶洶
2014 年影像感測器市場規模有 100 億美元，至 2017 年時將達 140 億美元。目前 CMOS 影像感測器為影像感測市場的主流。不過，事實上 CMOS 影像感測技術仍有其限制。因 CMOS 是以矽為基底的材料，所以感光能力不佳。舉凡在背光、強光、低光源、動態拍攝等條件下拍照，影像呈現的品質都不夠理想。
新的量子點薄膜技術是由一層高度感光靈敏的量子點所組成，用以取代一般數位相機影像感測器所採用的光電二極體矽晶片，在低光照環境之下的感光效能更勝一籌，在拍攝動態移動的物體時，影像也不會失真。其優勢能讓相機模組設計更輕薄，耗電量比 CMOS 感測器要更低，在提供更優異的效能表現的前提下，量子點薄膜感測器的成本與 CMOS 感測器成本相差無幾，具備高性價比的優勢。
DRAM 產業
DRAM 面臨技術極限，MRAM 和 ReRAM 可望取而代之
韓媒 BusinessKorea 16 日報導，南韓半導體業者指出，16 奈米將是 DRAM 微縮製程的最後極限，10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數（High-K）材料和電極。MRAM 和 ReRAM 因此備受期待，認為可以取代 DRAM 和 NAND Flash，業者正全力研發。
兩種新記憶體都是非揮發性記憶體，切斷電源後資料也不會消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由於內部構造較為簡單，理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中 MRAM 採用磁阻效應（Magnetoresistance）技術，研發業者有 SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）。ReRAM 則靠著絕緣體的電阻變化，區別 0 和 1，外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）。
DRAM 後市，華邦電保守看
記憶體製造廠華邦電董事長焦佑鈞對動態隨機存取記憶體（DRAM）後市看法保守，預期下半年仍將持續去化庫存。對於終端應用市場，焦佑鈞看好汽車市場最穩健。華邦電去年汽車電子產品比重約 7%，今年第 1 季已達 9% 水準，焦佑鈞看好，今年汽車電子產品比重應可突破 1 成大關。至於物聯網，焦佑鈞認為，物聯網只是概括性名詞，對於成長驅動力目前各界仍不明朗。
（首圖來源：Flickr/Windell Oskay CC BY 2.0）
