3 月底武漢新芯新廠動土儀式,中國 NAND Flash 產業邁入新紀元

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 21 日 19:00 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產 NOR Flash 為主,月產能約為 2 萬片左右,在 NAND Flash 產業也展現強大的企圖心。

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