中國目標 2020 年晶片自給率達 40%,長江存儲豪言要包其中四分之一

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 31 日 12:22 | 分類 晶片 follow us in feedly

統籌中國記憶體擘劃的武漢新芯新廠基地在今年 3 月盛大舉行動土,宣告中國本土記憶體發展邁開大步,近期武漢新芯與紫光進一步合體共同建立長江存儲公司,不只紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長,大基金總經理丁文武更出任副董事長,中國高層對此案重視程度可見一斑,從產能規劃來看,長江存儲在中國晶片自給也佔了重要角色。



中國武漢新芯與紫光集團在 8 月初宣布合體,共同成立「長江存儲科技有限責任公司」,武漢新芯納為旗下子公司,上週 26 日中國全國政協副主席、科技部長萬鋼視察長江存儲,董事長趙偉國、總經理楊士寧在向萬鋼報告的同時,也透露了長江存儲更多未來發展進程。

一如先前科技新報報導,第一階段長江存儲將以 3D Nand Flash 做為切入點,藉由美國飛索半導體(Spansion,現已併入 Cypress)技術支援取得快速發展,第二階段目標到 2020 年月產能來到 30 萬片,趙偉國稱藉此長江存儲將能進入世界記憶體企業的第一梯隊,這階段將能貢獻中國晶片製造自產率的 8%,中國目標在 2020 年晶片自給率要達到 40%,以此來看,長江存儲就佔了其中近四分之一的產能。

對於中國自有半導體設備商,長江存儲等本土企業也起了推波助瀾的作用,長江存儲總經理楊士寧即指出,長江存儲產區有九台中國國產設備,其中四台已完全投入使用,剩下五台於生產驗證階段,公司也會就使用中發現的問題向本土設備商提出建議,以利設備廠商的進步。

但看衰中國發展半導體的投資機構同樣不少,全球管理諮詢公司貝恩(Bain & Company)近期發布的報告即認為,花大錢投資不見得就能買到半導體產業的領導權,在缺乏專業技術和人才下,中國砸逾千億美元冀望成為半導體全球霸主的遠大目標很可能會失敗。

(首圖來源:武漢新芯官網

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