環球晶半絕緣碳化矽晶圓 / 氮化鎵元件開發計畫獲補助

作者 | 發布日期 2016 年 09 月 30 日 9:30 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

環球晶宣布,公司通過經濟部技術處 A+ 企業創新研發淬鍊計畫—「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(S.I.-SiC)晶圓及氮化鎵(GaN)元件的技術開發」,此補助計畫為期 3 年,預計執行期間至 108 年 7 月 31 日。環球晶表示,透過經濟部技術處 A+ 企業創新研發淬鍊計畫的協助,結合國內產、官、學、研相互的合作,將可建立台灣在全球高頻通訊上游原物料的供應鏈,未來將進一步結盟國內外相關產業。



環球晶指出,氮化鎵結合半絕緣碳化矽是優越的化合物半導體技術,由於寬能隙及優越的熱導特性,在高頻功率元件的應用於極高功率仍保有穩定的特性;半絕緣碳化矽晶圓結合氮化鎵高功率高電子遷移率功率電晶體的產品與技術已趨向民生應用,未來亦可配合前瞻工業的需求益更加深層應用。

環球晶係以寬能隙材料氮化鎵(GaN)成長在半絕緣之碳化矽(SiC)基板為主軸,目標為成功研發應用於射頻(RF)用氮化鎵功率電晶體,產品市場的應用為 4.5G / 5G 基地台(L/S/C-band)等。環球晶表示,公司已投入相關前瞻研發超過 5 年,且已具備 A 級技術水平;預期經由本計畫的執行,結合國內相關通訊產業,將可促進高頻高功率通訊產業鏈的完整發展,並提升國家產業競爭力。

公司也預期,此計畫完成後,環球晶將可在全球碳化矽晶圓供應鏈上佔有一席之地,開創台灣半絕緣性碳化矽基板市場的自主性,並提升台灣的國際競爭力。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock) 

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