SK 海力士 DRAM 即將邁入 10 奈米製程,傳 2017 年 Q2 量產

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 15 日 15:06 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

繼三星之後,SK 海力士計劃明年開始量產 10 奈米 DRAM,在 1x DRAM 開發完成後,SK 海力士將繼續研發 1y DRAM,並為發展 1z DRAM 鋪路。



ETnews.com 15 日報導,來自產業界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 開發代號設為 Alius,已準備進入量產前置作業。SK 海力士目前已經完成晶圓製樣,正要在進行可靠度認證。

半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序,在通過客戶測試後,產品開發才算完成。據報導,SK 海力士為將量產時程往前推,打算直接做客戶測試,暗示 1x DRAM 已經開發成功。

一般認為,SK 海力士技術落後三星約 1 年半時間,但從 SK 海力士計劃在明年第二季量產 10 奈米 DRAM 推算,兩者差距已經拉近至 1 年 3 個月左右。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士) 

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