海力士 72 層 3D NAND 記憶體,傳 2017 年領先全球量產

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 26 日 15:00 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 記憶體傳明年開始量產,韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出,海力士計劃於 2017 上半年完成晶片設計,位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產。



若按計畫進行,海力士將成為全球第一個量產 72 層 3D NAND 的記憶體廠。為因應市場需求增溫,海力士上周已宣布將在南韓與中國兩地,投資 3.15 兆韓圜來增加 DRAM 與 NAND 記憶體產能。

隨著微縮製程遭遇瓶頸,業者紛紛改以 3D 垂直方式堆疊記憶體做突破,但製程技術各不相同。目前技術領先的三星已於 2013 年量產 48 層 3D NAND 記憶體,至於 64 層 3D NAND 晶片也將在今年底開始投產。

據市調機構 DRAMeXchange 統計,三星第三季 NAND 記憶體營收來到 37.44 億美元,市佔率較前季進步 0.3 個百分點至 36.6%。東芝以 19.6% 位居第二,Western Digital、海力士與美光分居三、四、五名,市佔率依序為 17.1%、10.4% 與 9.8%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK Hynix) 

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