中國布局記憶體,晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 21 日 14:31 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出,隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域,中國包含晉華電子、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。



TrendForce 指出,中國記憶體產業的發展,儘管早期如紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終,或是購併相關技術母廠多失敗收場,但中國積極吸收專業人才,無論是台灣地區的建廠人才,或是日韓的技術人才皆為中國半導體廠目標,並且從技術授權轉為自主研發,處處可見中國進軍記憶體的強烈決心。

兩大陣營搶布局 DRAM,分從利基型記憶體與行動式記憶體切入

從記憶體中的 DRAM 產業來看,中國在發展記憶體領域中的策略上已有逐步收斂之勢,並非雜亂無章。以技術布局的角度觀察,中國 DRAM 領域中除了繪圖用記憶體未有廠商布局,其他都有廠商按照計畫發展中。

中國 DRAM 產業目前已有晉華電子、合肥長鑫兩大陣營。晉華電子專注利基型記憶體的開發,主攻消費型電子市場,有望憑藉著中國本有的龐大內需市場壯大自身產能,甚至在補貼政策下,預估最快 2018 年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略,並且有機會取得技術 IP 走向國際市場。

相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品,合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式記憶體產品。行動式記憶體已是記憶體類別中占比最高的產品,其省電技術要求極高,開發難度相當高。然而,中國品牌手機出貨已占全球逾四成,倘若 LPDDR4 能順利量產並配合補貼政策,中國政府進口取代的策略即可完成部分階段性任務。

NAND Flash 以長江存儲布局最速,初期產品仍鎖定低階產品

觀察中國在 NAND Flash 領域的發展,以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發廠商,初期也將以中國內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足,難以與一線大廠相抗衡,預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到 64/96 層才有機會進軍 SSD 市場,但此市場技術競爭相當激烈,沒有中國政府的支持,短期會難以在成本上取得優勢,利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。

而武漢新芯隨著長江存儲的成立後,將專注於 NOR Flash 的開發,雖然長江存儲的 NAND Flash 試產線暫放在武漢新芯,但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後,未來也將各自獨立。

TrendForce 指出,以目前現況來看,中國發展記憶體的策略能否成功,未來的 3~5 年將是極其重要的關鍵期,特別是強化 IP 的布局,中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水準的產能,取得與國際廠商最有利的談判籌碼,才有機會立足全球並占有一席之地。

(首圖來源:shutterstock)