來自中國與美國加州大學戴維斯分校的研究人員，最近開發出新的外爾半金屬材料：砷化鈮薄層，測量結果顯示其室溫下導電率約為銅的 3 倍，為新型電子設備鋪路。
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半金屬成超高導電新材料，室溫下導電率為銅 3 倍 |
作者
Emma stein |
發布日期
2019 年 03 月 20 日 13:35 |
分類
尖端科技
, 會員專區
, 材料
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來自中國與美國加州大學戴維斯分校的研究人員，最近開發出新的外爾半金屬材料：砷化鈮薄層，測量結果顯示其室溫下導電率約為銅的 3 倍，為新型電子設備鋪路。
