資料中心等恢復拉貨,威剛估 DRAM、Nand 漲勢可期

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 23 日 10:35 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


近期 DRAM 現貨價格回跌,記憶體模組廠商威剛董事長陳立白認為,現貨市場再跌有限,主要是資料中心(Data center)客戶開始下單時,DRAM 現貨價將會開始二次反彈,且市場也會為了延到 11 月中的中美貿易談判前先拉貨,預估現貨價再跌空間有限,10 月初反彈,合約價也不會再有跌勢,而 Nand 目前原廠不急於虧損生產,在需求提升下,價格仍有再往上的可能。

對於 DRAM 市場,DRAM 已由最低價起算最高已漲 4 成,最近雖有回跌,但也幾乎跌不下去,因為三大原廠對 9 月以後的合約價不看跌,或還有上漲的空間,需求面包括手機記憶體容量的增加,新機上市以及 Data center 客戶恢復回補庫存,因 Data center 的記憶體用量大,估在 10~12 月客戶會重啟拉貨動能,現貨價近期雖有小回跌,但 9 月中到 9 月下旬,需求會回升,約 10 月上下時現貨價可望有二次反彈的機會。

對於 Nand Flash 市場,7 月初現貨價開始反彈且幅度大於 DRAM,目前的價格持平,因原廠生產 Nand Flash 仍在虧損狀況,以目前的價格來看,多做多賠,導致他們也不願意多生產,Toshiba 停電事件後產能會逐漸恢復,但不會拉回全產能量產,所以 Nand Flash 產能不會恢復太快,至少要等價格回升到成本價,原廠才再有提升產能的誘因,陳立白預估需求動能會將價格逐月逐季拉升,目前價格離成本價還有 3 成的上漲空間。

故以此來看,DRAM 以及 Nand Flash 下半年都可望有價格上漲的機會,但陳立白更看好 2021~2022 年的記憶體大多頭走勢,主要是在 5G 手機、物聯網、車用電子以及 AI 等智慧化的需求帶動,但記憶體前幾大廠無法有能力可為 2021 年做大規模的資本投資,所以到時可能會有供給吃緊的狀況。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

延伸閱讀: