鎧俠發表第 5 代 3D NAND!堆疊 112 層、記憶容量提高 2 成

作者 | 發布日期 2020 年 02 月 03 日 15:45 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


全球第二大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商鎧俠(Kioxia,舊稱東芝記憶體)採用 3D 架構的 NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產品現身,堆疊 112 層、記憶容量將較現行 96 層產品提高 2 成。

鎧俠 1 月 31 日宣布,已研發出 3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第 5 代產品,採用堆疊 112 層製程技術,且已完成試作、確認基本動作。

該款堆疊 112 層的 3D NAND 試作品為 512Gb(64GB),採用 3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技術的產品,預計將在 2020 年第一季進行樣品出貨,除將用來搶攻需求持續擴大的資料中心用 SSD、商用 SSD、PC 用 SSD 及智慧手機等市場外,也將用來搶攻 5G、人工智慧(AI)、自動駕駛等新市場需求。

和鎧俠目前已量產的 96 層 3D NAND 產品相比,112 層 3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約 20%,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加,每 bit 成本也下滑。

鎧俠指出,該款 112 層 3D NAND 產品為該公司和合作夥伴美國 Western Digital(WD)所攜手研發完成,今後將利用雙方共同營運的四日市工廠以及北上工廠進行生產,且今後也計劃推出採用堆疊 112 層製程技術的 1Tb(128GB)TLC 產品以及 1.33Tb 的 4bit/cell (QLC:Quadruple-Level Cell)產品。

關於上述 112 層 3D NAND 的量產時間,WD 宣布,「預定將在 2020 年下半年」。

鎧俠競爭對手南韓三星電子已於 2019 年 6 月開始量產堆疊 100 層以上的 3D NAND 產品。

東芝於 2018 年 6 月將鎧俠獨立出去,並賣給由美國貝恩資本主導的「日美韓聯盟」。東芝目前仍持有鎧俠 40.2% 股權。

根據 Yahoo Finance 的報價顯示,截至台灣時間 3 日 13 點 41 分為止,東芝上揚 0.14% 至 3,505 日圓。

日經新聞 1 月 29 日報導,據關係人士指出,鎧俠 IPO(首次公開發行)上市時間預估將從原先規劃的 2019 年度內(2020 年 3 月底前)推延至 2020 年 10 月以後。

鎧俠於 2019 年 11 月 13 日公布 2019 年 Q3(7-9 月)財報:因出貨量大增,每 GB 單價下滑幅度趨緩,而因停電導致「四日市工廠」部分產線停止生產的影響雖持續,但因生產回復時間較預期來得快,影響金額大縮,激勵合併營收較前一季(2019 年 4-6 月)勁揚 11.6% 至 2,390 億日圓,營損額自前一季的 989 億日圓大縮至 658 億日圓,淨損額也自 952 億日圓大縮至 560 億日圓。

展望今後市場動向,鎧俠表示,因供給端庫存水準適當化,加上來自需求端的資料中心投資回復及智慧手機搭載的記憶體數量增加,一般認為 2020 年供需將維持穩定。

鎧俠攜手美國 WD 在日本岩手縣興建的北上工廠第一廠房(以下稱 K1)已於 2019 年 10 月竣工,預定在 2020 年開始進行生產。K1 將生產使用於資料中心 / 智慧手機 / 自動駕駛等用途,堆疊 96 層製程技術的 3D NAND Flash 產品。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Kioxia