提高自給率！中國紫光傳年內興建 DRAM 新廠、2022 年量產

中國半導體大廠紫光集團傳出將在今年打造 DRAM 新工廠、力拚 2022 年量產，期望藉由增加中國境內自給的半導體種類，提高自給率、降低對海外的依賴。

紫光目前已量產 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory），旗下長江存儲（YMTC）今年 4 月宣布，成功研發出堆疊 128 層的 3D NAND Flash 產品。

日經新聞 27 日報導，據多位關係人士指出，紫光集團將在今年內著手興建 DRAM 新工廠，目標在 2022 年開始量產。美中對立情勢加劇下，紫光期望藉由增加中國境內能夠自給的半導體種類，減低對海外的依賴度。

據報導，紫光 DRAM 新廠將坐落於重慶市，原先計劃 2019 年底動工，不過受武漢肺炎等因素影響延遲。目前因位於日本、從事 DRAM 設計業務的子公司正式營運，因此力拚今年內動工興建，新廠產能規模等細節雖不明，不過據關係人士指出，紫光計劃 10 年間對 DRAM 事業投資 8,000 億人民幣。

不過紫光 DRAM 新廠之後能否順利量產，仍將受美中關係動向左右，主因生產具競爭力的 DRAM 產品就需要用到美國製生產設備，而美國禁止供應使用美國先進技術的產品給部分中國企業，因此若之後美中對立進一步加劇，恐將對紫光造成影響。

中國 2015 年發表高科技產業振興對策「中國製造 2025」，將半導體定為重點產線，目標 2020 年將半導體自給率從當前的未滿 20% 提高至 40%，2025 年進一步提高至 70%。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：紫光集團）