提高自給率!中國紫光傳年內興建 DRAM 新廠、2022 年量產

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 29 日 8:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


中國半導體大廠紫光集團傳出將在今年打造 DRAM 新工廠、力拚 2022 年量產,期望藉由增加中國境內自給的半導體種類,提高自給率、降低對海外的依賴。

紫光目前已量產 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory),旗下長江存儲(YMTC)今年 4 月宣布,成功研發出堆疊 128 層的 3D NAND Flash 產品。

日經新聞 27 日報導,據多位關係人士指出,紫光集團將在今年內著手興建 DRAM 新工廠,目標在 2022 年開始量產。美中對立情勢加劇下,紫光期望藉由增加中國境內能夠自給的半導體種類,減低對海外的依賴度。

據報導,紫光 DRAM 新廠將坐落於重慶市,原先計劃 2019 年底動工,不過受武漢肺炎等因素影響延遲。目前因位於日本、從事 DRAM 設計業務的子公司正式營運,因此力拚今年內動工興建,新廠產能規模等細節雖不明,不過據關係人士指出,紫光計劃 10 年間對 DRAM 事業投資 8,000 億人民幣。

不過紫光 DRAM 新廠之後能否順利量產,仍將受美中關係動向左右,主因生產具競爭力的 DRAM 產品就需要用到美國製生產設備,而美國禁止供應使用美國先進技術的產品給部分中國企業,因此若之後美中對立進一步加劇,恐將對紫光造成影響。

中國 2015 年發表高科技產業振興對策「中國製造 2025」,將半導體定為重點產線,目標 2020 年將半導體自給率從當前的未滿 20% 提高至 40%,2025 年進一步提高至 70%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:紫光集團)