三星開發新材料 a-BN,次世代半導體有望加速現身

作者 | 發布日期 2020 年 07 月 06 日 16:00 | 分類 Samsung , 材料 Telegram share ! follow us in feedly


三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,簡稱 SAIT)研發出新的半導體材料──「非晶質氮化硼」(amorphous boron nitride,簡稱 a-BN),有望讓次世代半導體加速現身。

三星官網 6 日新聞稿稱,SAIT、南韓蔚山國家科學技術研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英國劍橋大學,合力發現了新材料 a-BN,此一結果刊載於知名科學期刊《Nature》。

SAIT 致力於發展 2D 材料,也就是只有一層原子的晶體材料。該機構持續研究石墨烯,在石墨烯電晶體以及如何製作大型單晶的晶圓級石墨烯方面,達成了破天荒的研究成果。

SAIT 石墨烯計畫主管和主要研究員 Hyeon-Jin Shin 說:「為了加強石墨烯和以矽為基礎半導體製程的相容性,要在半導體基板上生成晶圓級石墨烯,必須在攝氏 400 度以下的低溫進行。」

新發現的材料名為 a-BN(見下圖),從白色石墨烯淬鍊而出,內部的氮和硼原子成六角形排列,但是分子結構與白色石墨烯相當不同。a-BN 介電常數(dielectric constant)極低,只有 1.78,並有強大的電子和機械特質,能做為隔絕材料,讓電子干擾最小化。a-BN 可望廣泛用於 DRAM、NAND 記憶體,特別是大型伺服器的次世代記憶體解決方案。

(Source:三星

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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