2020 年第二季 DRAM 總產值季增 15.4%，然而第三季價格恐反轉向下

根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示，2020 年初在 Server DRAM 價格強勢領漲的帶動下，各類 DRAM 價格正式翻揚；即便新冠肺炎（武漢肺炎、COVID-19）疫情在第二季開始蔓延全球，但採購端因擔憂零組件斷貨，並未減少原本預估的訂單量，使 DRAM 供應商出貨量優於預期，進一步激勵整體 DRAM 價格漲幅擴大，推升第二季 DRAM 總產值至 171 億美元，季成長 15.4%。

TrendForce 並指出，經過連續兩季的拉貨後，Server 業者庫存水位已逐漸攀升，在整體經濟仍處低潮的情況下，以 Enterprise Server 為首的採購動能開始轉趨保守。在 DRAM 產業由 Server 領漲領跌的趨勢下，恐帶動其他產品價格一併反轉向下。因此預估第三季將出現量平價跌走勢，DRAM 原廠獲利能力將轉弱。

第二季 DRAM 價格漲幅擴大，拉升三大 DRAM 原廠營收與市占

觀察三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大 DRAM 原廠營收表現，第二季走勢一致且無明顯變動，在 DRAM 量價齊揚帶動下，營收成長皆突破雙位數；而各家市占除三大巨頭以外，其他廠商占比合計僅 5%。然而第三季由於適逢美光財務年底，推測其會較積極降價求量，可能使市占小幅上揚，但三大廠整體格局仍不受影響。

第二季 DRAM 整體均價大致上升約 10%（受各家產品比重與財務會計區間不同而有所差異），因此各家獲利皆呈現上揚走勢。以三星而言，營業利益率自第一季 32% 攀升至 41%，突破四成水準；SK 海力士因 Server DRAM 比重高，加上價格漲幅劇烈，營業利益率達 35%。美光本次財報區間（3 月至 5 月）的報價漲幅小於韓系廠，因此營業利益率受益有限，僅由上季的 16% 上升至 21%。預期第三季原廠成本優化的速度較難以支撐報價下滑，獲利恐面臨壓力。

疫情導致需求端狀況不明，DRAM 原廠謹慎規劃明年產能

從技術發展來看，第二季三星持續將 Line 13 部分產能由 DRAM 轉向 CIS（影像感測器），並準備啟動平澤二廠 P2L，預計下半年投入 DRAM 生產，在彌補 Line 13 投片下滑的同時，也開始拉高 1Znm 製程比重。SK 海力士 M10 廠 DRAM 投片持續轉向 CIS，同時增加 M14 產出；下半年將小幅提高無錫廠的產能，全年 DRAM 位元增加主要來自於 1Ynm 製程比重提升。

美光今年仍著重在 1Znm 製程的量產與產出比重的拉升，當前適逢量產初期且部分 OEM 處於產品驗證階段，因此 1Znm 占比不高。預計隨著驗證通過，1Znm 將成為該公司主推製程，而總產能方面則與去年大致相同。整體而言，今年三大 DRAM 原廠皆審慎擴增產能，加上疫情對需求端帶來的低潮尚未解除，預估明年位元成長仍有近七成來自 1Ynm 與 1Znm 的先進製程轉換；而廠房擴增的產能增加僅占三成。

台系廠商專研先進製程與產品改良，整體表現量價齊揚

觀察台廠方面表現，南亞科（Nanya Tech）出貨量與均價皆呈現約 7% 漲幅，使其第二季營收較前一季增加 15%；而受惠於報價走升其營業利益率來到 19.6%。華邦（Winbond）受到長約效應影響，價格成長幅度僅 0.5%，相較 DRAM 營收，Flash 成長動能較顯著。力積電（Powerchip）營收僅計自家生產之標準型 DRAM 產品，第二季因 PMIC（電源管理 IC）、Driver IC 等邏輯產品需求暢旺，導致 DRAM 產能限縮，因此 DRAM 營收僅約略持平。

3 家台廠在第二季皆專注在下一代製程的研發，如南亞科積極專研 1A/1Bnm，期望盡快導入試產；華邦持續提升新製程 25nm 的良率，而產能擴建傾向以 Flash 為主；力積電則在 25nm DDR4 產品改良的同時，以代工邏輯產品為公司之營運重心。