三星電子（Samsung Electronics）9 日宣布量產業界首見的 3-bit 3D 記憶體 NAND flash 晶片，可用於 SSD 硬碟，提升儲存效率。
韓聯社報導，三星 8 月首次發表這款記憶晶片，每個記憶單元（cell）皆可儲存 3 bit 數據，之前 3-bit 技術僅用於平面（Planar）NAND flash，如今拓展用途，使用於 3D NAND flash。
新款 3-bit 3D 晶片採用第二代 V-NAND 技術，垂直堆疊 32 層，整合程度比 24 層晶片高出 30%。NAND flash 多用於智慧手機、平板等行動裝置，電源關閉後，儲存內容也不會消失。
DRAMeXchange 數據顯示，今年第 2 季，三星電子 NAND flash 市佔率達 30.8%，季增 0.8%。
BusinessKorea 9 月 16 日報導，2000 年中期以來，NAND flash 製程從 40 奈米一路降至 16 奈米，業界專家認為 14 奈米將是微縮製程極限，因為 10 奈米 NAND flash 技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產也難以獲利。
微縮製程遭遇瓶頸，業者因此另闢蹊徑，改採 3D 垂直架構。報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年 5 月推出業界首見 V-NAND 技術堆疊 32 層，高於前代的 24 層。部分專家預估，三星可能已經完成 48 層堆疊的原型技術。另外 SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）等也投入研發。
（MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導）
首圖來源：三星
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