
4 大陣營軍備戰火燒到 3D NAND
NAND Flash 由平面 2D 製程走向 3D 製程的軍備競賽,隨著三星 10 月 9 日正式宣布量產 32 奈米 32 層的 128Gb 3D V-NAND 晶片後,正式揭開序幕,包括 …
本篇文章將帶你了解 :TechNews 科技早報 – 20141020
TechNews 科技早報 – 20141020 |
作者
technewsdaily |
發布日期
2014 年 10 月 20 日 10:42 |
分類
手機
, 會員專區
, 零組件
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4 大陣營軍備戰火燒到 3D NAND
NAND Flash 由平面 2D 製程走向 3D 製程的軍備競賽,隨著三星 10 月 9 日正式宣布量產 32 奈米 32 層的 128Gb 3D V-NAND 晶片後,正式揭開序幕,包括 …
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