不是台積電的錯？外媒：驍龍 810 過熱，高通是禍首

高通（Qualcomm）驍龍（Snapdragon）810 處理器頻傳過熱，外界先前認為是台積電製程有問題，不過如今媒體批評風向轉向高通，稱可能該公司急就章才導致晶片出包。

phoneArena 27 日報導，部分人士之前怪罪台積電的 20 奈米製程問題，使得 Snapdragon 810 容易過熱。不過台積電從 28 奈米改成 20 奈米，三星也從 20 奈米改成 14 奈米，兩者都使得晶片密度提高，三星晶片卻沒出問題，顯示或許不是製程微縮惹禍。

另外，高通客製的 Kyro 核心開發過慢，趕不上用於 Snapdragon 810，只能先採權宜之計使用 ARM 核心，或許因此引發過熱。不僅如此，外傳 Snapdragon 810 的 Adreno GPU 由高通自行設計，和 ARM 核心不夠相容，也使得晶片一遇壓力，就容易過熱。

phoneArena 稱，高通是否擺脫了 Snapdragon 810 過熱爭端，或許可從 29 日的 LG G4 發布會見端倪，要是 G4 一如真的降級改用 Snapdragon 808，可能會讓高通再次受創。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Flickr/Maurizio Pesce CC BY 2.0）