聯電攜 ARM 完成 14 奈米 FinFET 製程測試 IC 設計定案

全球晶圓專工大廠聯電 22 日宣布，與全球 IP 矽智財授權廠商 ARM 合作，基於聯電 14 奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產的 PQV 測試晶片已經設計定案（tape out），代表 ARM Cortex-A 系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證，此 14 奈米合作案延續自雙方成功將 ARM Artisan 實體 IP 整合至聯電 28 奈米高介電金屬閘極（High K / Metal gate）量產製程。聯電指出，14 奈米 FinFET 製程已展現卓越的 128mb SRAM 產品良率，並預計於 2015 年底接受客戶設計定案。

聯電表示，14 奈米 FinFET 製程技術驗證，是公司 FinFET 製程啟動其他 IP 生態系統的第一步，包括基礎 IP 矽智財（foundation IP）和 ARM 處理器實體設計。負責矽智財開發與設計支援的聯電副總經理王國雍表示，在公司準備向客戶提供 14 奈米 FinFET 製程之際，建立強大的設計支援基礎以強化 14 奈米平台的整體效益是至關重要；ARM 是先進製程的 IP 矽智財全球供應商，而雙方透過這次合作已將 Artisan 實體 IP 以及 Cortex 處理器解決方案納入旗下 14 奈米製程。

ARM 實體 IP 設計事業部總經理 Will Abbey 表示，ARM 和聯電已在數個技術世代上持續合作，且成果卓越，隨著採用聯電 14 奈米 FinFET 製程的 Cortex-A 系列核心測試晶片正式設計定案，未來雙方亦將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：聯電）