聯電攜 ARM 完成 14 奈米 FinFET 製程測試 IC 設計定案

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 22 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


全球晶圓專工大廠聯電 22 日宣布,與全球 IP 矽智財授權廠商 ARM 合作,基於聯電 14 奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的 PQV 測試晶片已經設計定案(tape out),代表 ARM Cortex-A 系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證,此 14 奈米合作案延續自雙方成功將 ARM Artisan 實體 IP 整合至聯電 28 奈米高介電金屬閘極(High K / Metal gate)量產製程。聯電指出,14 奈米 FinFET 製程已展現卓越的 128mb SRAM 產品良率,並預計於 2015 年底接受客戶設計定案。

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