富士通半導體成功為 1Mb 序列 FRAM 開發超小型封裝

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出 1 Mb FRAM （鐵電隨機存取記憶體）的 MB85RS1MT 元件，並採用 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的 WL-CSP 製程可讓封裝面積僅有目前 8 針腳 SOP（small-outline package）封裝的 23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面 SPI 的 1 Mb FRAM 變成業界最小尺寸的 FRAM 元件。

WL-CSP FRAM 為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓 FRAM 在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。

穿戴式市場是目前備受矚目的焦點，並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點，皆為須持續的即時記錄資料。

一般的非揮發性記憶體技術，如 EEPROM 和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入 100 萬次，而富士通的 FRAM 技術則可將資料完整性大大提高到保證最少 10 兆次讀 / 寫次數，因此對於在儲存即時記錄資料特別理想。

為了更加利用 FRAM 的上述特性，富士通半導體如今為其 MB85RS1MT 產品線中的 1Mb FRAM 元件增添了全新 WL-CSO 封裝。MB85RS1MT 元件已採用業界標準的 SOP 封裝，然而採用 WL-CSP 封裝後，其體積僅 3.09 × 2.28 × 0.33 mm 大小，而封裝面積只有 SOP 封裝的 23%；換言之，即能比 SOP 封裝的面積減少 77%。此外，其厚度僅 0.33 mm，相當於信用卡厚度的一半，而封裝體積更比 SOP 封裝小了 95%。