工研院 IEEE 發表新世代記憶體論文，為 FRAM、MRAM 帶領未來商機 |
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 12 月 10 日 13:30 |
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工研院於 10 日美國舉辦的 IEEE 國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM），發表 3 篇鐵電記憶體（Ferroelectric RAM，FRAM）及 3 篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory，MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域發表最多重要論文者。
富士通與 Nantero 達成協議 2018 年推出快 1000 倍的 NRAM 記憶體 |
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作者
Atkinson|發布日期
2016 年 09 月 05 日 10:56 |
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富士通半導體和三重富士通半導體上週共同宣布宣布，他們已與總部位於美國的 Nantero 公司達成協議，授權該公司的碳奈米管記憶體 （NRAM） 技術，三方公司未來將致力於 NRAM 記憶體的開發與生產。據了解，藉由 NRAM 技術所生產的記憶體速度將是當前普通記憶體的 1,000 倍。預計，藉由三方面的合作，將在 2018 年推出藉由 55 奈米製程所生產的 NRAM 記憶體。
德國、中國半導體廠冒出頭，韓廠技術優勢受威脅 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2015 年 09 月 22 日 15:40 |
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三星與海力士雖然合力把持全球記憶體晶片市場，不過隨著中國大手筆扶植本土業者，以及一度被認為已經玩完的德國半導體廠東山再起，這些南韓大廠也漸漸感受到威脅。 繼續閱讀..
富士通半導體成功為 1Mb 序列 FRAM 開發超小型封裝 |
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作者
TechNews|發布日期
2015 年 07 月 08 日 13:55 |
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香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出 1 Mb FRAM （鐵電隨機存取記憶體）的 MB85RS1MT 元件，並採用 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝 （WL-CSP）製程。全新的 WL-CSP 製程可讓封裝面積僅有目前 8 針腳 SOP（small-outline package）封裝的 23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面 SPI 的 1 Mb FRAM 變成業界最小尺寸的 FRAM 元件。 繼續閱讀..
