Tag Archives: FRAM

南韓科學家發現全新儲存技術,可讓記憶體容量增加 1,000 倍

作者 |發布日期 2020 年 08 月 20 日 17:04 | 分類 儲存設備 , 尖端科技 , 材料

如何提升記憶體的儲存容量,是記憶體產業永不變的目標,如今,這項進展又有了新突破。根據外國媒體 Tech Explorist 報導,南韓 UNIST 能源與化學工程學院教授 Jun Hee Lee 與研究團隊發現了一種新的物理現象,有望將記憶體晶片的儲存容量提升 1,000 倍;目前研究團隊正致力將此物理現象用於鐵電隨機記憶體(FRAM)。
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工研院 IEEE 發表新世代記憶體論文,為 FRAM、MRAM 帶領未來商機

作者 |發布日期 2019 年 12 月 10 日 13:30 | 分類 尖端科技 , 記憶體 , 零組件

工研院於 10 日美國舉辦的 IEEE 國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM),發表 3 篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM,FRAM)及 3 篇磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Access Memory,MRAM)相關技術重要論文,引領創新研發方向,並為新興記憶體領域發表最多重要論文者。

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富士通與 Nantero 達成協議 2018 年推出快 1000 倍的 NRAM 記憶體

作者 |發布日期 2016 年 09 月 05 日 10:56 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

富士通半導體和三重富士通半導體上週共同宣布宣布,他們已與總部位於美國的 Nantero 公司達成協議,授權該公司的碳奈米管記憶體 (NRAM) 技術,三方公司未來將致力於 NRAM 記憶體的開發與生產。據了解,藉由 NRAM 技術所生產的記憶體速度將是當前普通記憶體的 1,000 倍。預計,藉由三方面的合作,將在 2018 年推出藉由 55 奈米製程所生產的 NRAM 記憶體。

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富士通半導體成功為 1Mb 序列 FRAM 開發超小型封裝

作者 |發布日期 2015 年 07 月 08 日 13:55 | 分類 市場動態 , 晶片 , 會員專區

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出 1 Mb FRAM (鐵電隨機存取記憶體)的 MB85RS1MT 元件,並採用 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP)製程。全新的 WL-CSP 製程可讓封裝面積僅有目前 8 針腳 SOP(small-outline package)封裝的 23%,而厚度也約其五分之一,實現將擁有序列周邊介面 SPI 的 1 Mb FRAM 變成業界最小尺寸的 FRAM 元件。 繼續閱讀..