富士通宣布推出能於攝氏零下 55 度操作記憶體 FRAM,並已量產供貨

作者 | 發布日期 2018 年 06 月 13 日 11:50 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

日本科技大廠富士通(Fujitsu)於 13 日宣布,研發出型號為 MB85RS64TU 的 64-Kbit FRAM。此款記憶體能在攝氏零下 55 度運行,為富士通電子旗下首款耐受如此低溫的 FRAM 非揮發性記憶體,現已量產供貨。




富士通指出,FRAM 是一種採用鐵電質薄膜為電容器以儲存資料的記憶體,即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。且 FRAM 結合 ROM 和 RAM 的特性,擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀寫週期的優點,富士通自 1999 年即開始生產 FRAM,亦稱為 FeRAM。

FRAM 產品保證 10 兆次的讀寫週期,大約是競爭對手的非揮發性記憶體 EEPROM 的 1 千萬倍。因此,許多需要頻繁覆寫資料的工業應用,例如即時資料記錄與 3D 位置資料記錄等,都採用 FRAM 產品。

富士通表示,新款 FRAM 支援範圍極廣,電源電壓從 1.8 伏特至 3.6 伏特,並支援更低的運作溫度,最低可達攝氏零下 55 度,超越競爭對手記憶體的最低運作溫度。因能在運作溫度範圍內保證 10 兆次讀寫週期,故適合用於極寒地區挖掘天然氣與石油的設備或機具等的工業機具,包括測量設備、流量計、機器人等一般工業應用。

FRAM 產品已推出業界標準的 8-Pin SOP 封裝,使其取代 8-Pin SOP 封裝的 EEPROM。此外,還提供擁有 2.00×3.00×0.75 公厘極小尺寸的 8-Pin SON 封裝。SON 的表面貼裝面積僅為 SOP 封裝的 30%,貼裝體積更僅為 SOP 的 13%,更適合用於輕量化的現代工具設備。

富士通表示,2017 年富士通發表能在攝氏 125 度環境運作的 FRAM 產品,擴展運行溫度的高溫極限。此次,再開發出零下 55 度產品,進一步擴展運行溫度的低溫極限。

(首圖來源:shutterstock)